2026年9月30日--業界先進半導體解決方案頂尖供應商瑞薩電子（TSE：6723）今天發佈業界首款採用雙面散熱技術的650V氮化鎵（GaN）元件，專為採用高功率密度的800V高壓直流（HVDC）AI資料中心架構而設計。全新的TP65H020G4PLSGBD D-Mode元件採用超小型的雙面散熱（DSC）PQFN封裝，導通電阻僅20毫歐（mΩ），在同類產品中處於領先水平，能夠在更小的空間內處理更高的功率。瑞薩目前正向主要的人工智慧資料中心OEM和ODM廠商提供樣品。
該元件基於新型第四代氮化鎵（GaN）架構，專為滿足下一代人工智慧資料中心百萬瓦級功率需求而設計，支援高達700V的操作電壓。主要應用於800V直流中間匯流排轉換器（IBC）級，可將電壓降至48V、12V或6V，同時也可用於側掛電源機架的電池備用電源（BBU）和電容器組（CBU）。
隨著機架功率從約120 kW攀升至百萬瓦級，空間和散熱已成為維持輸出功率的關鍵因素。與傳統的頂部散熱封裝不同，新型元件可從頂部和底部同時散熱，進而降低10%頂部熱阻。其8 x 8 mm PQFN封裝尺寸也比現有的10 x 15 mm TOLT封裝小57%。
此元件融合了瑞薩新型第四代650V GaN技術的優勢：低閘極電荷和輸出電容、具有最小反向恢復的內建續流二極體，以及無需負閘極偏壓即可運行的高閾值電壓。工程師可以使用標準矽基驅動器來驅動，無需專用驅動的E-mode驅動器，並將開關頻率切換到MHz範圍，以最大限度地減少被動元件並降低整體BOM成本。
John Wiggenhorn, Senior Product Line Director of High-Voltage GaN at Renesas表示：
「建構百萬瓦級人工智慧資料中心的客戶在達到功率極限之前，就已經面臨電路板空間和散熱餘量不足的問題。我們推出的業界首款雙面散熱的650V氮化鎵元件，可從兩側進行散熱，並顯著縮小元件尺寸，因此設計人員無需重新設計電路板或添加額外的散熱裝置，即可通過中間匯流排來傳輸更多功率。而且由於可沿用客戶原本在使用的矽基驅動器，提升了操作簡便性，使得升級起來非常容易。」
這款全新的雙面散熱（DSC）PQFN封裝是與主要AI基礎設施客戶合作開發，符合業界標準的封裝尺寸，進而提高了採購靈活性。此GaN裝置與瑞薩的AUX控制器、閘極驅動器和MCU搭配使用，協助OEM、ODM客戶為超大規模資料中心轉型至800V架構提供一站式電源解決方案。
瑞薩已在晶片上驗證了該方案：新產品搭配瑞薩RA6T3 MCU控制的6kW、800V至48V LLC直流變壓器（DCX）參考設計，實現了2.6 kW/in³的功率密度，單模組測試表明，其滿載效率比同等TOLT封裝的電路板高0.21%。更小的封裝尺寸也節省了PCB空間，並可在不同GaN FET之間做更好的匹配佈局。800V至12V和6V DC/DC IBC參考設計也採用了新的DC 8x8平台，實現了性能提升、可擴展性和功率密度。
瑞薩將於10月12日至15日在美國加州聖荷西舉行的OCP全球高峰會上，展示全新GaN元件TP65H020G4PLSGBD及其800V電源解決方案。
供貨
TP65H020G4PLSGBD目前可提供樣品，預計於2027年中開始量產。更多關於瑞薩GaN解決方案的資訊，請造訪：renesas.com/gan-fets。
瑞薩電子，動力之選
瑞薩秉持創新、品質和可靠的理念，引領電力電子產業發展，年出貨量超過40億顆，產品涵蓋電源管理IC、分立元件和GaN產品、運算元件等眾多領域。這些產品涵蓋汽車、物聯網、基礎設施和工業應用等所有主要產業。電源產品組合可與我們領先的MCU、MPU、SoC和類比解決方案完美搭配，透過數百種經工程驗證的「成功產品組合」以及PowerCompass™和PowerNavigator™等創新設計軟體，簡化並加速設計流程。更多資訊請造訪renesas.com/power。
關於瑞薩電子
瑞薩電子（TSE:6723）透過科技帶來更安全、智慧且美好的未來使生活更便利。身為全球微控制器領導供應商，瑞薩結合了在嵌入式處理、類比、功率和連網等領域的專業知識以提供全面的半導體解決方案。「成功產品組合」可加快汽車、工業、基礎設施及物聯網等應用的上市時間，為數十億裝置帶來連網功能，並賦予裝置智慧，使人們的生活和工作更便利。欲了解更多資訊，請造訪renesas.com。歡迎訂閱關注LinkedIn、Facebook、X、YouTube和Instagram。
