三星率先出貨業界首款商用HBM4 為AI運算帶來極致效能
前言：
三星開始量產傳輸速度11.7Gbps的HBM4，最高可達13Gbps
採用4奈米邏輯基礎晶粒的先進DRAM，最大化效能、可靠性與能源效率，最佳化新世代資料中心
強化製程技術與供應能力，深化三星HBM藍圖，超越HBM4
2026年02月12日--全球先進記憶體技術領導者三星電子今日宣布，正式量產業界領先的商用HBM4產品，並完成業界首次出貨，在全球HBM4市場奠定領導地位。
三星憑藉其最先進的第六代10奈米級DRAM製程（1c），量產之初即實現穩定良率與業界頂尖效能，無需額外重新設計即順利完成。
三星電子執行副總裁暨記憶體開發負責人Sang Joon Hwang表示：「有別於傳統採用既有驗證設計的路徑，三星引領創新，在HBM4上採用了1c DRAM和4奈米邏輯製程等最先進節點。憑藉製程競爭力與設計最佳化能力，我們確保充足的效能空間，在客戶需要時，就能滿足其不斷提升的高效能需求。」
效能與效率的新標竿
三星HBM4提供穩定的11.7Gbps的處理速度，相較業界標準8Gbps提升約46%，為HBM4效能樹立了全新基準。
相較於前代產品HBM3E的最高針腳速度（pin speed）9.6Gbps，HBM4提升約1.22倍，還可進一步提升至13Gbps，有效紓解隨AI模型規模持續擴大所帶來的資料瓶頸問題。
單一堆疊的總記憶體頻寬也較前代增加2.7倍，最高達到每秒3.3TB（TB/s）。
三星HBM4採用12層堆疊技術，提供24GB至36GB容量。透過運用16層堆疊，容量選項可擴充至48GB，以配合客戶的時程需求。
為了應對資料I/O數量從1,024個增加至2,048個所帶來的功耗與散熱挑戰，三星在核心裸晶（core die）中整合了先進的低功耗設計解決方案。透過運用低電壓直通矽晶穿孔（TSV）技術與電源分佈網路（PDN）最佳化，HBM4相較於與HBM3E，在功耗效率提升了40%，熱阻改善10%，散熱效果提高30%。
憑藉卓越效能、出色能源效率與產品可靠性，三星HBM4專為未來的資料中心環境所打造，協助客戶最大化GPU吞吐量，並有效優化整體擁有成本（TCO）。
全方位且具彈性的生產能力
三星致力於透過全面的製造資源推動HBM發展，作為業界最大的DRAM產能與支援基礎設施供應商，確保供應鏈韌性，以應對預期激增的HBM4需求。
透過晶圓代工與記憶體部門之間緊密整合的設計技術整合優化（DTCO），三星確保最高標準的品質與良率。此外，三星內部具備豐富的先進封裝技術能力，可有效縮短生產週期與交期。
基於與專注開發新世代ASIC晶片的全球GPU製造商及超大規模資料中心業者的密切討論，三星計劃擴大與主要夥伴的技術合作範圍。
三星預期其HBM銷售業績將在2026年較2025年增長超過3倍，並積極擴大HBM4的產能。繼HBM4成功進入市場後，三星預計於2026年下半年開始出貨HBM4E樣品，並將依客戶各別的規格需求，於2027年開始提供客戶客製化HBM樣品。
關於三星電子公司
三星電子以轉變性的想法及科技啟發世界並形塑未來，致力於革新全球智慧顯示器、數位看板、智慧型手機、穿戴式裝置、平板、家電、行動通訊系統、記憶體、系統整合晶片以及晶圓代工。三星亦持續精進醫療影像、空調解決方案與機器人技術，並與Harman協力打造創新的車用與音訊產品。透過SmartThings生態圈、攜手業界夥伴的開放式合作，並將AI技術全面整合導入產品陣容，打造無縫、智慧的互聯體驗。
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