美國國際貿易委員會（ITC）裁定英飛凌勝訴， 對英諾賽科下達進口與銷售禁令
前言：
− ITC全體委員會在針對英諾賽科的專利侵權案中，裁定英飛凌勝訴
− ITC做出對英諾賽科在美國進口及銷售氮化鎵（GaN）產品的禁令
− 此項裁決再次凸顯英飛凌業界領先之專利組合的價值
2026年5月8日--美國國際貿易委員會（ITC）全體委員會維持了其在 2025 年 12 月作出的初步裁定，認定英諾賽科 (Innoscience) 侵犯了英飛凌關於氮化鎵（GaN）技術的一項專利，並對英諾賽科下達進口與銷售禁令。最終裁決及上述禁令仍需接受美國總統60天的審查期。
英飛凌資深副總裁暨GaN系統事業線負責人Johannes Schoiswohl表示：「此項裁決再次凸顯英飛凌在智慧財產權方面的堅實基礎，也重申了我們積極捍衛英飛凌專利組合並維護市場公平競爭的承諾。憑藉我們業界領先的 300 毫米 GaN 製造能力，我們在規模化創新方面具有獨特優勢，能夠為客戶帶來性能、品質與成本上的顯著競爭力，助力加速低碳化與數位化進程。」
此項裁決是英飛凌在 GaN 技術領域貢獻價值的又一次積極肯定。此外，在德國進行的相關訴訟中，英飛凌於慕尼黑第一地方法院（Landgericht München I）主張英諾賽科侵犯其三項專利與一項實用新型專利。早在 2024 年 8 月，慕尼黑法院就已裁定英諾賽科侵犯了英飛凌指控的第一項專利。關於另一項專利及一項實用新型專利的審理將於2026年6月舉行。
英飛凌是 GaN 市場中領先的整合元件製造商（IDM），擁有業界最廣泛的智慧財產組合，包含約 450 個 GaN 專利家族。GaN 在實現高效能、節能的電源系統方面扮演關鍵角色，應用領域涵蓋再生能源系統、AI 資料中心、工業自動化以及電動車等。憑藉更高的功率密度、更快的切換速度與更低的功率損耗，GaN 半導體能實現更小型化的設計，降低能耗與熱量產生。作為電源系統的領導者，英飛凌在矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）這三種關鍵半導體材料領域都處於產業領先地位，並持續推動技術進步。
英飛凌 GaN 300 毫米技術：英飛凌已成為首家在其現有量產製造架構中，
成功開發 300 毫米 GaN 功率晶圓技術的半導體製造商。
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球電源系統及物聯網領域半導體的領導者，以其產品及解決方案驅動低碳化及數位化。英飛凌在全球擁有約 57,000名員工，2025 會計年度 (截至9月底)，公司營收約為 147億歐元。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所(股票代碼：IFX) 以及美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier (股票代碼：IFNNY) 掛牌上市。
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