2026年2月10日--氮化鎵（GaN）電源解決方案的普及正推動電力電子產業迎來一場重大變革。全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）發佈《2026年GaN技術展望》，深度解析GaN的技術現況、應用場景及未來前景，為業界提供重要參考。
英飛凌科技氮化鎵系統業務線負責人Johannes Schoiswohl表示：「GaN應用已經在市場上落地，並且在多個產業獲得了廣泛關注。英飛凌致力於快速、高效地為客戶創造價值。憑藉『從產品到系統』的解決方案、領先的製造實力，以及豐富的GaN產品組合，我們為客戶提供的解決方案協助客戶在市場上獲得成功。我們將持續努力，保持英飛凌作為值得信賴的合作夥伴的地位，協助客戶應對GaN技術所帶來的挑戰，充分釋放其潛力。」
分析師預測，到2030年，GaN功率半導體市場規模可望接近30億美元，較2025年市場規模增長400% 。這一快速增長得益於2025年啟動的大規模產能擴張，這推動了GaN技術在多個產業的廣泛應用，還促進了該技術在新興領域中的滲透。預計該市場在2025至2030年間的年複合增長率（CAGR）將達到44% ，2026年其營收將達到9.2億美元，較2025年增長58% 。
GaN產品創新進展
到2026年，設計人員有望在光伏逆變器、電動汽車（EV）車載充電器之外，發掘更多GaN雙向開關（BDS）的新型應用場景。英飛凌的高壓GaN雙向開關採用變革性的共汲極設計與雙閘極結構，並基於成熟的閘極注入電晶體（GIT）技術。這種獨特架構使同一漂移區可實現雙向電壓阻斷，相較傳統背靠背方案顯著縮小了晶片面積。例如，採用英飛凌CoolGaN™ BDS（支援最高開關頻率1MHz）的光伏微型逆變器在同等尺寸下功率提升了40%，同時降低了系統成本。
GaN技術正拓展至新興應用領域
GaN技術的應用領域正在不斷拓展，包括AI資料中心、機器人、電動汽車、再生能源等行業，以及數位健康、量子計算等新興領域。在資料中心市場，採用新型拓撲結構的GaN電源實現了空前的效率與功率密度，功耗最多降低30%，助力部署更加高效緊湊的資料中心架構。在人形機器人領域，GaN馬達驅動體積可縮減40%，同時還能提高對於精細運動的控制能力。
為何選擇英飛凌GaN技術？
英飛凌是全球功率半導體領導者，以矽（Si）、碳化矽（SiC）和GaN領域的創新解決方案聞名。英飛凌憑藉垂直整合製造（IDM）戰略，結合業界領先的系統理解能力，提供各種領先技術，滿足產業不斷變化的需求。憑藉300毫米GaN晶圓製造技術，英飛凌的GaN產品憑藉出色的性能表現，為各類應用場景帶來優勢。例如：
− 全新CoolGaN™ 650V G5電晶體系列產品在品質因數（導通損耗與開關損耗的乘積）方面領先業界30-40%，可大幅提升系統性能和設計自由度。
− 英飛凌創新的CoolGaN™ Transistor MV G5系列產品在元件內整合了肖特基二極體，減少了15%的損耗，並將元件溫度降低了10%以上，在縮小尺寸、降低成本的同時，提高了效率與可靠性。
− 英飛凌的全新CoolGaN™ 100V車規級電晶體系列產品進一步鞏固了其全球汽車半導體領導者的地位。它滿足AEC-Q101標準的嚴苛要求，可協助客戶應對新一代汽車架構設計中從12V向48V系統轉型的應用需求。
英飛凌擁有超過50款GaN產品的豐富產品組合，涵蓋分立與高度整合解決方案，電壓覆蓋從40V至700V，佈局消費電子、工業電子及汽車電子應用領域，可為廣泛的功率應用場景提供各類解決方案。
2026年，憑藉出色的性能、效率與可靠性，GaN技術將進一步應用於電力電子產業。身為氮化鎵技術的市場領導者，英飛凌致力於賦能客戶與合作夥伴開拓新領域，共同打造未來的節能技術。
更多資訊
《2026年GaN技術展望》電子版現已在英飛凌官網上線，文中深入解讀了GaN技術的發展現況、產品佈局、應用場景，以及未來的機遇與挑戰。點擊此處下載。
憑藉12吋 (300毫米) GaN晶圓製造技術，英飛凌的GaN產品展現出卓越性能，為各類應用場景帶來優勢。
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球電源系統及物聯網領域半導體的領導者，以其產品及解決方案驅動低碳化及數位化。英飛凌在全球擁有約 57,000名員工，2025 會計年度 (截至9月底)，公司營收約為 147億歐元。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所(股票代碼：IFX) 以及美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier (股票代碼：IFNNY) 掛牌上市。
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