多媒體融合應用需要兼具性能和能效的半導體技術。隨著晶片外觀尺寸不斷縮小，傳統技術無法使電晶體的性能和電池壽命同時達到最高水準，無法在實現最高性能的同時確保溫度不超過安全限制。這解決的方法是採用FD-SOI技術，這種技術兼具最高性能、低工作功耗（在各種應用中，在降低電源功率後的同時還能保持良好的性能）以及低待機功耗。
憑藉其注重成本效益的平面型FD-SOI技術，意法半導體率先推出了28奈米的完全空乏型元件，遙遙領先競爭對手。為FD-SOI貨源提供雙重保障，意法半導體與GLOBALFOUNDRIES簽訂了代工協定，以補充意法半導體位於法國Crolles工廠的產能。28奈米 FD-SOI元件目前已商用化，預計於2012年7月前投入原型設計；而 20奈米 FD-SOI元件目前處於研發階段，預計於2013年第三季投入原型設計。
意法半導體的FD-SOI技術已被ST-Ericsson用於下一代行動平台，這項技術將讓ST-Ericsson的 NovaThor™平台具有更高的性能和更低的功耗，在發揮最高性能的同時降低功耗達35%。
意法半導體計畫對GLOBALFOUNDRIES的其它客戶開放FD-SOI技術，讓他們能夠採用目前最先進的 28奈米和20奈米技術研發產品。
意法半導體負責數位娛樂事業群前端製造和製程研發的企業副總裁Joel Hartmann表示：「意法半導體和合作夥伴的試驗證明，FD-SOI的性能和功耗遠遠優於傳統技術。FD-SOI是無線裝置晶片和平板電腦晶片的最佳選擇，縱使這項技術依然使用傳統的平面技術，但是能夠提供完全空乏型電晶體的諸多優點，我們與 GLOBALFOUNDRIES的代工協定將為我們的客戶帶來更穩定可靠的貨源。」
意法半導體負責設計支援和服務的企業副總裁Philippe Magarshack進一步表示：「因為沒有MOS歷史效應影響（MOS-history-effect），從28奈米傳統CMOS製程（Bulk CMOS）技術向28奈米 FD-SOI移植軟體庫和物理IP內核很簡單。使用傳統的CAD工具和方法研發FD-SOI數位系統單晶片與研發傳統CMOS製程技術完全相同。此外，透過動態最佳化電路基片（俗稱襯底），FD-SOI還可讓同一晶片具有極高的性能或極低的功耗。最後，FD-SO在低電壓條件下擁有出色的性能表現，能效明顯高於傳統CMOS製程技術。」
GLOBALFOUNDRIES技術長Gregg Bartlett表示：「今日所發佈代工協定證明，產業合作對於採用先進技術提供解決方案至關重要。 我們與意法半導體保持長期的合作關係，合作範圍包括研發和製造，以及SOI技術。我們很高興能夠與意法半導體合作，將下一代SOI技術推入市場，帶領行動市場革命持續深入發展。」
關於GLOBALFOUNDRIES
GLOBALFOUNDRIES 是世界第一間真正擁有全球經驗，且能提供全方位服務的半導體代工廠。自 2009 年 3 月成立後，迅速發展為全球規模最大的代工廠之一，為150 家以上的客戶提供結合先進技術與製程的獨特產品。隨著公司在新加坡、德國及美國的營運，GLOBALFOUNDRIES 儼然成為唯一跨越三大洲，為製造中心提供彈性與安全性的代工廠。該公司3座
關於意法半導體
意法半導體（STMicroelectronics；ST）是全球領先的半導體解決方案供應商，為感測及功率技術與多媒體融合應用領域提供創新的解決方案。從能源管理和節能技術，到數位信任和資料安全，從醫療健身設備，到智慧型消費性電子，從家電、汽車，到辦公設備，從工作到娛樂，意法半導體的微電子元件技術無所不在，在豐富人們的生活方面發揮著積極、創新的作用。意法半導體代表著科技帶動智慧生活（life.augmented）的理念。
意法半導體2011年淨收入97. 3億美元。詳情請瀏覽意法半導體公司網站www.st.com。
