2026年11月10日--英飛凌科技股份有限公司（FSE: IFX／OTCQX: IFNNY）已在其奧地利菲拉赫（Villach）晶圓廠，成功以 12吋（300毫米）碳化矽（SiC）晶圓製作出具備功能的功率元件。英飛凌是首家在大規模製造的半導體晶圓廠環境中，達成此一創新里程碑的公司，並運用了現有的矽（Si）製程製造設備。英飛凌在技術發展初期便成功製作出具備功能的功率元件，展現其致力於為客戶提供完整的高效能碳化矽功率半導體產品組合，並確保長期供應。相較於 8 吋（200 毫米）晶圓，採用 12吋晶圓生產晶片的技術更為先進、效率也顯著更高；由於晶圓直徑更大，每片晶圓可產出的晶片數量為前者的 2.3 倍。
英飛凌執行長 Jochen Hanebeck 表示：「這項技術里程碑進一步鞏固我們在電源系統領域的領導地位。我要恭喜並感謝充滿熱忱的團隊，他們在推動 12吋碳化矽技術從實驗室進入製造環境的過程中，取得了重大進展。要在功率半導體領域保持領先，就必須持續推動技術突破。如今，我們已具備矽、氮化鎵，以及碳化矽的 12吋晶圓技術，在擴大半導體製造規模並帶動盈利性增長方面，處於領先地位。」
這項里程碑展現未來將 12吋碳化矽晶圓技術全面導入工業化生產的潛力。英飛凌將與客戶及合作夥伴密切合作，規劃 12吋碳化矽技術及產能爬升時程，同時持續推進8吋碳化矽製造藍圖。先進碳化矽功率技術將為汽車、再生能源、工業及 AI 資料中心等應用領域的客戶，提供兼具成本效益與穩定的供貨來源。
碳化矽是實現高效率電源轉換的關鍵半導體材料。其材料特性有助於降低電力損耗、提升功率密度，並在高電壓及高溫環境下維持高效率運作，適用於牽引逆變器、車載充電器、電動車充電樁、大型儲能系統、工業馬達系統，以及不斷電系統等應用。AI 資料中心的需求也持續成長，碳化矽正於固態變壓器、斷路器與電源供應器等應用中扮演新角色。英飛凌以廣泛的 CoolSiC™ 產品組合支援上述應用。
與此同時，英飛凌也在德國德勒斯登（Dresden）廠區，成功驗證 Cold Split 技術應用於 12吋碳化矽晶圓的可行性。相較於傳統線鋸切割，Cold Split 技術能以更少的材料損耗及大幅縮短的處理時間，從碳化矽晶錠分離晶圓，因此可從同一晶錠取得更多晶圓，同時降低所需的資本支出。這兩項技術進展使英飛凌更有能力依市場需求擴大碳化矽技術規模，並滿足客戶持續演進的需求。
英飛凌以矽、碳化矽及氮化鎵三種關鍵材料製造半導體。2026 年 10 月 27 日，英飛凌宣布於菲拉赫投資約 11 億歐元，設立採用 12吋晶圓製程的氮化鎵功率半導體量產廠。此次碳化矽技術成果，將此一布局擴展至第二種寬能隙材料，進一步鞏固英飛凌在半導體製造創新領域的領導地位。
英飛凌參展 electronica 2026
英飛凌將於慕尼黑電子展 (electronica)，向大眾展示全球首片12吋碳化矽晶圓。在展覽期間(11 月 10 - 13 日)，英飛凌將在 C3 館 502 展位，展示多項創新且節能的解決方案，助力打造日益智慧、互聯的世界。更多資訊請見：www.infineon.com/electronica。
英飛凌執行長 Jochen Hanebeck 手持12吋碳化矽功率半導體晶圓
12 吋碳化矽晶圓：相較於8 吋晶圓，每片12 吋晶圓可產出的晶片數量約為前者的 2.3 倍。
英飛凌現已掌握矽、碳化矽與氮化鎵三種材料的12 吋晶圓製程技術。
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球電源系統及物聯網領域半導體的領導者，以其產品及解決方案驅動低碳化及數位化。英飛凌在全球擁有約 57,000名員工，2025 會計年度 (截至9月底)，公司營收約為 147億歐元。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所(股票代碼：IFX) 以及美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier (股票代碼：IFNNY) 掛牌上市。
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