2026年10月22日--英飛凌科技股份有限公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）宣布深化與 NVIDIA 的合作，共同推動 AI 資料中心 800 VDC供電架構的發展。此次於 NVIDIA 柏林 GTC 開發者大會期間發布的合作進展，聚焦於高壓中繼匯流排轉換器（IBC）——AI 資料中心供電鏈中最關鍵、技術要求也最嚴苛的電源轉換級之一。英飛凌的氮化鎵（GaN）技術具備滿足此環節需求的優勢。此次合作延續雙方於 2025 年 5 月首度宣布、並於同年 10 月進一步公布細節的共同開發工作；先前的合作重點為支援可維護、具備熱插拔功能的 800 VDC 伺服器機櫃。
英飛凌執行長 Jochen Hanebeck 表示：「AI 正從根本上改變我們對電力基礎設施的需求，而半導體是解決這項挑戰的核心。我們與 NVIDIA 在 800 V 供電架構上的合作，充分展現深厚的半導體專業能力與 AI 時代所需的創新速度相結合所帶來的潛力。以氮化鎵為基礎的系統解決方案，是下一代資料中心的重要推動力量。英飛凌很榮幸能憑藉從電網到處理器核心的技術布局，為 AI 時代的基礎設施發展提供關鍵支援。」
在 龐大AI工作負載驅動用電需求的推動下，資料中心已採用中繼匯流排架構：中繼匯流排轉換器將供應加速器板卡的主匯流排電壓降至較低電壓，使後級電源能有效產生 AI 處理器所需、電壓控制精準的核心電源與負載點 (PoL) 電源。這種多級轉換方式有助於降低配電損耗，同時滿足電路板面積、散熱限制及持續運作時間方面的嚴格要求。隨著 AI 基礎設施規模擴大，800 VDC 正逐步導入 AI 資料中心，與現行的交流（AC）及較低電壓直流（DC）架構並行，成為支援更高運算密度的另一種配電選擇。
氮化鎵相當適用於滿足上述需求。與矽相比，氮化鎵功率元件能以更低的損耗實現顯著更快的切換速度，使 IBC 的切換頻率最高可達 1 MHz。這使得磁性元件及被動元件的尺寸得以大幅縮小，直接提升功率密度並降低電路板高度；對機櫃空間日益有限的 AI 資料中心而言，這是一項關鍵優勢。同時，氮化鎵的低導通損耗與低切換損耗有助於實現同級最佳的轉換效率，即使單一機櫃的功率持續朝百萬瓦（MW）等級攀升，仍有助於控制電力轉換損耗與發熱量，減輕散熱負擔。這些特性使氮化鎵成為目前能同時滿足 IBC 對功率密度、效率及快速瞬態響應要求的首選半導體技術。英飛凌憑藉多年來在氮化鎵開發與製造領域的領先實力，確立了這項技術優勢。結合 PSOC™ Control C3 與 EiceDRIVER™ 產品系列，英飛凌已可提供完整的 IBC 系統解決方案。
英飛凌的氮化鎵產品組合支援高壓 IBC 所需的所有電壓轉換比例，包括 800 V 轉 50 V、800 V 轉 12 V，以及 800 V 轉 6 V，讓資料中心業者能靈活最佳化機櫃架構，而無須犧牲功率密度或效率。在兼顧高切換頻率、高功率密度與高效率的設計中，氮化鎵功率開關的優勢得以充分發揮。英飛凌在功率半導體領域的技術領先地位，奠基於廣泛的內部 (in-house) 製造能力，以及多年積累的應用與系統專業。其產品組合涵蓋採用矽、氮化鎵 (GaN) 及碳化矽 (SiC) 技術的 IBC 解決方案，可支援客戶多元的設計需求。
英飛凌與 NVIDIA 的合作涵蓋整個資料中心的供電鏈。除了 IBC，合作範圍也包括雙方於 2025 年 10 月宣布的供電路徑保護解決方案，著重於熱插拔控制器功能等安全與維護需求，為未來的伺服器主機板導入 800 VDC 供電架構提供支援。
此次深化合作，進一步彰顯英飛凌作為 AI 基礎設施「從電網到處理器核心」功率半導體合作夥伴的地位，為完整供電鏈提供解決方案，涵蓋面向電網的電源供應器，直到處理器端的負載點。
英飛凌執行長 Jochen Hanebeck
英飛凌以氮化鎵（GaN）技術推動 AI 資料中心實現更高效的電源轉換
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球電源系統及物聯網領域半導體的領導者，以其產品及解決方案驅動低碳化及數位化。英飛凌在全球擁有約 57,000名員工，2025 會計年度 (截至9月底)，公司營收約為 147億歐元。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所(股票代碼：IFX) 以及美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier (股票代碼：IFNNY) 掛牌上市。
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