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美光推出全球首款次世代伺服器超高密度記憶體模組推進記憶體技術創新

本文作者：美光科技點擊： 2026-09-16 12:02

前言：

美光先進 DRAM 封裝技術助 512GB DDR5 RDIMM 傳輸速率達 9,200 MT/s、運作功耗降低逾 60%，釋放資料中心效能

2026年9月16日--美光科技（Nasdaq: MU）今日宣布在記憶體創新上締造重要里程碑，成功於多個伺服器平台上展示全球首款 512GB DDR5 模組。此項成果進一步鞏固美光在高效能、高容量伺服器記憶體領域的領導地位，並為企業資料中心與雲端客戶提供一條途徑，以更高的效率支援大規模且高負載的 AI、分析、記憶體資料庫與模擬密集型工作負載。AMD 與 Intel 等領先半導體業者均已積極驗證此模組，其傳輸速率最高可達 9,200 MT/s。

此模組的高容量源自美光先進的垂直互連封裝創新技術。該產品透過直通矽晶穿孔（TSV）垂直堆疊 DRAM 晶粒，在單一 DRAM 封裝內將密度最大化，同時維持現代資料中心架構所需的效能表現。此模組可在單一雙路伺服器的 24 個記憶體插槽中實現最高 12TB 的 DDR5 DRAM 容量。

美光資深副總裁暨雲端記憶體事業部總經理 Raj Narasimhan 表示：「美光持續引領記憶體技術發展，推出全新等級的超高密度、高效能伺服器記憶體，協助客戶將更龐大的資料集置於所需的運算引擎附近。512GB RDIMM 可實現數 TB 容量等級的伺服器，支援規模更大的 AI 與資料庫工作負載、更高的虛擬化密度與更佳的功耗效率，且這一切都在既有的伺服器規格尺寸內完成。」

生態系夥伴驗證

美光正與領先的生態系夥伴密切合作，針對次世代伺服器平台進行512GB DDR5 RDIMM驗證工作，以確保廣泛的相容性，並為部署導入提供順暢的路徑。

AMD 運算與企業 AI 平台解決方案工程企業副總裁 Amit Goel 表示：「隨著 AI 與資料密集型工作負載重塑基礎架構需求，AMD 解決方案持續推進資料中心的效能、擴充性與效率。我們與美光的緊密工程合作，結合運算與記憶體創新技術，協助客戶充分發揮搭載 AMD 技術平台的價值。我們攜手為現代工作負載日益成長的規模與複雜度打造均衡且高效能的基礎架構。」

Intel 資料中心事業群平台與系統工程總經理 Karin Eibschitz Segal 表示：「AI 與其他資料密集型工作負載的成長為伺服器基礎架構帶來全新要求，使記憶體容量與頻寬對整體系統效能的重要性日益提升。Intel 正與美光密切合作，驗證其 512GB DDR5 RDIMM，以推動為滿足次世代資料中心工作負載日益增長需求而設計的未來伺服器平台。」

滿足資料密集型工作負載的記憶體需求

大型語言模型（LLM）、代理型 AI、即時推論與高核心數 CPU 工作負載的快速普及，正驅動市場對更大伺服器記憶體容量、更高頻寬與更佳功耗效率的需求。美光 512GB RDIMM 能讓更大的資料集常駐於主記憶體中，降低對速度較慢儲存層的依賴，並減少高成本的資料搬移，以因應上述需求。全新 512GB RDIMM 同時提升效率，相較於四條 128GB RDIMM，其運作功耗降低超過 60%。

對於以 Spark 支援向量機（SVM）為基礎的資料分析等受記憶體效能限制的工作負載，美光 512GB RDIMM 相較於 256GB DDR5 組態，最高可提供 1.4 倍的效能。512GB 模組也為 RocksDB 與 Redis 等記憶體密集型資料庫與快取平台帶來顯著優勢，可提升吞吐量、增加並行處理能力，並更有效率地擴展資料集規模。

產業對此未來記憶體解決方案的看法

JPMorganChase 基礎架構平台資訊長 Darrin Alves 表示：「隨著資料中心工作負載持續成長，我們越來越專注於如何在整個技術堆疊中最佳化運算、記憶體與效率之間的平衡。如美光 512GB RDIMM 這類更高容量的記憶體技術，將協助企業支援規模更大的記憶體內（in-memory）工作負載、提升資源使用率，並強化擴展現代運算環境所需的靈活度。」

美光預計於 2027 年下半年配合客戶需求量產512GB RDIMM。如需美光現有資料中心解決方案的更多資訊，請造訪美光資料中心記憶體網頁。

關於 Micron Technology, Inc.

美光是全球半導體記憶體和儲存解決方案的領導者，推動雲端到邊緣的人工智慧和運算密集型應用程式發展。美光持續專注於客戶、技術與產品領先、卓越的製造與營運，提供高效能 DRAM、NAND 和 NOR 解決方案的完整產品組合，滿足現今工作負載所需的速度、效率和規模，同時致力於加速智慧發展並豐富所有人之生活。欲進一步瞭解 Micron Technology, Inc.（Nasdaq：MU），請瀏覽 tw.micron.com。

前瞻性聲明

本新聞稿包含前瞻性聲明（forward-looking statements），包括有關美光 512GB DDR5 RDIMM 及其預期效能、功能、效益、驗證與部署，以及量產時程等相關陳述。此類前瞻性聲明涉及多項風險與不確定因素，實際結果可能與前瞻性聲明所述內容存在重大差異。關於可能導致實際結果與本新聞稿所載前瞻性聲明產生重大差異的重要因素，請參閱美光向美國證券交易委員會（SEC）提交的文件，包括最近一期 Form 10-K 及 Form 10-Q。上述文件載有並說明可能導致實際結果與前瞻性聲明存在重大差異的重要風險因素。相關風險因素亦可於美光投資人關係網站查閱：風險因素說明。儘管美光認為本新聞稿所載前瞻性聲明所反映之預期屬合理，但美光無法保證未來結果、業務活動水準或相關成果一定能夠達成。除法律另有規定外，美光不承擔於本新聞稿發布日期後更新任何前瞻性聲明之義務，亦無義務使其符合實際結果或事件發展情況。

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