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盛美上海拓展 Ultra C Tahoe 為多工藝濕法處理平台

本文作者：盛美半導體設備點擊： 2026-09-16 09:15

前言：

新增先進濕法蝕刻和控擋片再生工藝，支援邏輯和記憶體元件製造

2025年9月15日--盛美半導體設備股份有限公司（以下簡稱「盛美」），作為一家為半導體前道和先進晶圓級封裝應用提供晶圓製程解決方案的卓越供應商，今日宣布其 Ultra C Tahoe 拓展為多工藝濕法處理平台，新增多項先進濕法製程應用，可支援邏輯和記憶體元件製造中的更廣泛需求。該平台已獲多家主流半導體製造商採用，驗證了其在先進製造中的量產能力、多功能性及拓展潛力。

該擴展平台基於盛美自主研發的混合濕法處理技術，將批次槽式製程與單片晶圓腔室製程整合於同一架構，實現在同一平台執行多種先進濕法製程。該平台充分發揮槽式清洗的優勢，不僅可支援更長的製程時間、有效降低化學品用量，同時兼具單片清洗製程的顆粒去除效率，顯著減少晶圓間的交叉污染，並實現精準的製程時間控制。面向先進製程的 Tahoe Recycle 控擋片再生製程是這一混合架構所支援的新應用，可將原本需在不同設備上分散完成的多個濕法處理步驟整合至同一混合平台，減少晶圓在設備間的轉移，縮短處理週期，同時提升顆粒控制能力和產出速率。

盛美上海總經理王堅表示：「半導體製造日趨複雜，客戶需要既能提升生產效率，又能靈活適配未來技術需求的解決方案。Ultra C Tahoe 拓展為更廣泛的先進濕法製程平台，體現了盛美專利混合架構的靈活性及在先進半導體製造中的可擴展性。盛美半導體將持續致力於提供世界一流的製程性能，將環境效益融入產品開發，推動先進半導體製造向更高效、更可持續的方向發展。」

平台的新製程應用與優勢

· 更廣泛的製程應用：新增槽式氮氣鼓泡技術，支援氮化矽均勻凹槽蝕刻、多晶矽蝕刻與回刻、鎢凹槽處理以及鍺矽凹槽蝕刻等先進濕法製程。結合單片處理模組支援的盛美專有 SAPS、TEBO 清洗技術、表面改質技術（SMT）及高溫 IPA 乾燥技術，平台可整合蝕刻、先進清洗和乾燥等多種製程，最大限度減少相關濕法處理對精細圖形結構的損傷。

· 更高效的控擋片再生：控擋片是用於監控制造設備狀態和製程穩定性的晶圓。應用於先進製程控擋片再生製程的 Tahoe Recycle 可支援薄膜和殘留物去除、清洗及乾燥等濕法處理環節，將原本分散的工序整合至同一平台完成；且對雙面覆膜及厚膜晶圓具有更強的膜層去除能力，可顯著提高再生後晶圓的潔淨度和整體製程效率。

· 卓越的顆粒控制能力：在 26 奈米顆粒測試中實現了平均顆粒數小於 6 個，表面金屬殘留小於 1×10⁹ atoms/cm²。

· 顯著的環保與成本優勢：硫酸消耗量可降低高達 75%，從而降低大批量製造成本，支援可持續發展及 ESG 目標。

目前，Tahoe Recycle 控擋片再生製程已進入客戶端量產，透過提高產出速率和提升再生後晶圓品質，為晶圓廠日常營運提供有力支援。

關於盛美半導體設備

盛美上海致力於開發、製造和銷售半導體製程設備，涵蓋清洗、電鍍、無應力拋光、立式爐製程、前道塗膠顯影、PECVD，以及晶圓級與面板級封裝設備，賦能先進與次關鍵半導體器件製造。盛美上海專注於提供客製化、高效能與高性價比的製程解決方案，協助半導體製造商在多個製造步驟中提升生產效率與產品良率。欲了解更多資訊，請瀏覽https://www.acmr.com/。

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