2026年5月29日--格棋化合物半導體股份有限公司（GeChi Compound Semiconductor，簡稱 GCCS）今日宣布，由董事長熊觀明帶領團隊前往位於美國印地安那州的普渡大學，與 Dr. Daniel DeLaurentis（Executive Vice President for Research）簽署碳化矽（SiC）技術合作協議。面對全球第三類半導體供應鏈加速重組，格棋將以 SiC 長晶技術為核心，持續優化晶圓品質與量產能力，並整合研發、商業化與國際合作，推動台灣在關鍵材料供應鏈中建立更具自主性的角色。格棋董事長熊觀明表示：「台灣半導體下一個關鍵能力，不只在製程與製造，更在於材料端能否建立自主技術，並把技術能力轉化為全球供應鏈能共同信任的規格與標準。」
攜手美國普渡大學 推進下一代 SiC 材料與高功率應用布局
格棋今日與美國普渡大學（Purdue University）簽署合作備忘錄，雙方將共同推進 SiC 材料、晶體成長與高功率應用技術發展，聚焦 AI 基礎建設、高效能運算（HPC）、電動車、先進電力電子、衛星通訊，以及 5G、6G 等高速通訊應用，回應市場對高效散熱、電源管理與材料可靠性的關鍵需求。合作方向將涵蓋 SiC 長晶技術、先進材料分析、缺陷控制、晶圓品質提升，以及大尺寸晶圓平台的長期技術發展。
董事長熊觀明補充說明，隨著 AI、高效能運算與高速通訊需求快速成長，全球半導體產業正面臨能源效率、熱管理與高功率密度等關鍵挑戰，SiC 材料的重要性也持續提升。此次與普渡大學合作，將結合普渡在半導體、材料工程與先進系統應用上的研究能量，以及格棋在 SiC 長晶、晶圓製造與品質管理上的產業經驗，進一步強化格棋在大尺寸 SiC 晶圓、品質穩定性與量產能力上的國際競爭力，推動台灣第三類半導體材料供應鏈與國際高階應用市場接軌。
商業化與國際市場拓展並進 建立全球客戶信任
格棋總經理賴柏帆將統籌格棋在產品商業化、國際客戶開發與供應鏈合作等核心業務。自格棋成立以來，賴柏帆即深度參與公司營運與技術發展，並帶領研發團隊持續擴充技術能量，逐步獲得國際客戶肯定。董事長熊觀明表示：「全球客戶正在尋找可信任的第三類半導體材料夥伴，格棋具備技術與製造能力，也有台灣完整半導體聚落支撐。2026 年將是格棋從技術驗證邁向規模商業化的重要一年，未來將以更清楚的產品策略、更穩定的品質能力與更積極的客戶合作，爭取國際市場信任。」
深化長晶技術護城河 強化台灣材料供應鏈能量
格棋技術長葉國偉深耕 SiC 長晶技術多年，將持續帶領團隊強化關鍵製程能力，推動良率提升、晶圓品質管控與製程優化。長晶技術是格棋的起點，也是最重要的護城河；格棋不只要做出晶圓，更要做出讓客戶信任的晶圓。從 6 吋到 8 吋的技術跨越，從良率提升到成本結構優化，再到高頻元件與大尺寸 SiC 散熱應用開發，都是格棋未來持續深化的方向。隨著新領導團隊就任，格棋將在治理分工、技術研發、國際合作與市場拓展上同步推進，持續強化 SiC 材料自主能力，為台灣第三類半導體供應鏈開創下一階段成長動能。
【關於格棋化合物半導體】
格棋化合物半導體為 2022 年成立的新創公司，著眼未來能源轉型與電動車市場之龐大商機，專注於化合物半導體長晶等第三代化合物半導體的工藝技術開發。於 2023 年完成價值 15 億新台幣之 A 輪募資，其獨特長晶工藝與量產能力，致力於打造兼具高效能與高可靠性的碳化矽晶片。
