Transphorm與偉詮電子合作推出新款集成型SiP氮化鎵器件
前言：
該SiP系列現已增至三款器件，均使用了Transphorm的SuperGaN，為支援新一代適配器和充電器拓展了功率等級
2024年4月25日--全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）與適配器USB PD控制器積體電路的全球領導者Weltrend Semiconductor Inc.（偉詮電子，TWSE：2436）今日宣佈推出兩款新型系統級封裝氮化鎵器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP 一起，組成首個基於 Transphorm SuperGaN® 平臺的系統級封裝氮化鎵產品系列。
新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（准諧振/穀底開關）反激式PWM控制器和Transphorm的150毫歐和480毫歐SuperGaN FET。與上一款240毫歐器件（WT7162RHUG24A）相同，兩款新的器件與USB PD或可程式設計電源適配器控制器配對即可提供整體適配器解決方案。值得注意的是，它們還可提供更多創新功能，包括UHV穀底跟蹤充電模式、自我調整OCP補償和自我調整綠色模式控制等，使客戶能夠使用更少的器件、最精簡的設計方案，更快地設計出高品質的電源產品。
偉詮電子市場推廣副總裁Wayne Lo表示：“去年，我們推出了首款SiP氮化鎵器件，這是偉詮電子發展歷程中的一個重要里程碑。對於AC-DC電源產品市場，SiP氮化鎵器件代表了一種全新的進入市場策略（Go-To-Market Strategy）。今天發佈的新產品表明，我們將繼續為該應用領域提供更多的器件選擇，支援更廣泛的產品功率級。基於 Transphorm SuperGaN平臺並採用整體封裝解決方案，可以為從30瓦低功率USB-C PD電源適配器到接近200瓦功率充電器的各種裝置提供更易設計的高性能電源，這是 Transphorm氮化鎵器件的獨特之處。”
終端產品製造商想方設法開發物料（BOM）成本更低、但同時又具備靈活、快速充電、和更高功率輸出的新型適配器。此外，針對許多應用場景，製造商還希望提供具有多個埠和/或多種連接類型的更為通用的充電器。而所有這些方案，產品外形都要做到更小、更輕。
Transphorm常閉型d-mode SuperGaN 技術平臺的主要優勢包括：同類最佳的穩固性（+/-20V的柵極裕度和4V的抗擾性）及可靠性（FIT失效率<0.05），且功率密度比矽器件高50%。偉詮電子精簡的SiP設計，利用了上述GaN器件優勢以及自身的創新技術，打造出一款近乎隨插即用的解決方案，縮小外形尺寸的同時，加快設計速度。
Transphorm全球銷售及FAE副總裁 Tushar Dhayagude 表示：“從適配器和充電器製造商的需求考慮，SiP可以成為重要的器件選項。不僅能滿足系統電源轉換效率的要求，而且功能集成，器件更易使用，從而在最短的時間內可設計出產品。偉詮電子此前推出的首款器件驗證了SuperGaN SiP的性能和靈活性。本次發佈新款器件，表明了我們兩家公司在深化並實踐為客戶提供更多選擇的承諾。”
產品規格
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WT7162RHUG24A |
WT7162RHUG24B（新） |
WT7162RHUG24C（新） |
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Rds(on) |
240 mΩ |
150 mΩ |
480 mΩ |
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Vds min |
650 V |
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Power Efficiency 功率效率 |
> 93% |
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Power Density 功率密度 |
26 w/in3 |
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Max Frequency 最大頻率 |
180 kHz |
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Wide Output Voltage Operation寬輸出電壓操作 |
USB-C PD 3.0 PPS 3.3V~21V |
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Package 封裝 |
24-pin 8x8 QFN |
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主要特點
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特點 |
優勢 |
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可調的 GaN FET 柵極轉換速率控制 |
可以兼顧效率和電磁相容 |
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不需要外部 VDD 線性穩壓器電路（700 V 超高壓啟動電流直接取自交流線路電壓） |
減少了元器件數量 |
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減小了封裝電感 |
最大限度提升了晶片性能 |
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採用標準 8x8 QFN FF 封裝 |
系統佔用空間更低更小 |
目標應用和供貨情況
偉詮電子 SuperGaN SiP系列特別適用在用於智慧手機、平板電腦、筆記型電腦、頭戴式耳機、無人機、揚聲器、相機等移動/物聯網設備等的輕薄、高性能的USB-C電源適配器。
器件規格詳見產品資料表：
• WT7162RHUG24A (240 mΩ): http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/610
• WT7162RHUG24B (150 mΩ): http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/633
• WT7162RHUG24C (480 mΩ): http://www.weltrend.com/en-global/product/detail/67/124/634
新推出的兩款器件（WT7162RHUG24B 和 WT7162RHUG24C）現已開始提供測試樣品。請聯繫 Weltrend 銷售團隊：sales@weltrend.com.tw獲取更多資訊。
關於Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益於垂直整合的業務模式，公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、器件和應用支援。Transphorm的創新使電力電子設備突破矽的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高50%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於美國加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。
官網www.transphormusa.cn，歡迎關注Twitter @transphormusa以及微信公眾號：TransphormGaN氮化鎵
關於偉詮電子
偉詮電子（TWSE：2436）成立於1989年，位於“臺灣矽谷”新竹科學園區，是領先的無晶圓廠半導體公司，專長於混合信號/數位積體電路產品的企劃、設計、測試、應用開發與分銷，產品用於電源、電機控制、影像處理等多個應用領域。官網www.weltrend.com
