2026年1月12日--全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新封裝的 CoolSiC™ MOSFET 750V G2系列，旨在為汽車和工業電源應用提供超高系統效率和功率密度。該系列現提供 Q-DPAK、D2PAK 等多種封裝，產品組合覆蓋在25°C情況下的典型導通電阻(RDS(on))值60 mΩ。
此次擴展加入的產品涵蓋多種應用，例如汽車領域的車載充電器和高低壓 DCDC 轉換器，以及工業應用中的伺服器和電信開關電源（SMPS）和電動汽車充電基礎設施等。其4 mΩ超低導通電阻可支援對靜態開關性能有特殊要求的應用，例如 eFuse、高壓電池隔離開關、固態斷路器和固態繼電器等。憑藉這一領先的性能，設計人員能夠開發出更高效、更精簡且更可靠的系統，以滿足各類嚴苛的要求。
CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列的核心特性之一是其創新的頂部散熱 Q-DPAK 封裝，該封裝可提供極佳的熱性能與可靠性。該封裝專為輕鬆應對高功率應用而開發，非常適合想要突破功率密度和效率極限的設計人員。該技術還具有出色的 (RDS(on)) x QOSS 和出色的 (RDS(on)) x Qfr，可有效降低硬開關和軟開關拓撲結構中的開關損耗，尤其是在硬開關使用者案例中具有出色的效率。
此外，CoolSiC™ MOSFET 750 V G2兼具高閾值電壓 VGS(th)（25°C情況下典型值為4.5 V）和超低 QGD/QGS 比值，增強了其對寄生導通（PTO）的抗擾性。該系列還具有更強大的閘極驅動能力，支援的靜態閘極電壓和瞬態閘極電壓分別可達 -7 V和 -11 V。這種增強的耐壓性為工程師提供了更大的設計裕度，實現了與市面上其他元件的高度相容。
供貨情況
現已推出 CoolSiC™ MOSFET 750 V G2 Q-DPAK 4/7/20/33/40/50 mΩ 和D2PAK 7/25/33/40/50/60 mΩ的樣品。欲了解更多資訊，敬請瀏覽 http://www.infineon.com/coolsic-750v。
CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列的核心特性之一是其創新的頂部散熱 Q-DPAK 封裝，該封裝可提供極佳的熱性能與可靠性
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球電源系統及物聯網領域半導體的領導者，以其產品及解決方案驅動低碳化及數位化。英飛凌在全球擁有約 57,000名員工，2025 會計年度 (截至9月底)，公司營收約為 147億歐元。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所(股票代碼：IFX) 以及美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier (股票代碼：IFNNY) 掛牌上市。
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