當前位置: 主頁 > 新品報到 >
 

英飛凌 XDP™ 混合返馳式控制器與 CoolGaN™ 技術 助力安克實現業界領先的 160W Prime 充電器

本文作者:英飛凌       點擊: 2025-12-12 19:35
前言:
2025年12月12日--全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)宣佈與領先的快充電源裝置製造商安克(Anker)擴大合作,共同開發新一代高速充電器,實現高達 160W 功率的輸出,同時保持精簡、便攜的口袋級尺寸。這一合作成果正在重新定義高功率密度和高效率的業界標準,尤其展現在安克推出的 160W Prime 充電器上。這款業界領先的裝置採用英飛凌最新的 XDP™ 數位控制器以及基於氮化鎵(GaN)的 CoolGaN™ 電晶體技術,實現了如信用卡般小巧的設計,使其成為旅行者和專業人士的理想選擇。

英飛凌氮化鎵業務線負責人 Johannes Schoiswohl 表示:「在英飛凌,我們深信,能讓安克充電器技術發揮全部潛力的關鍵在於系統化的整體解決方案。透過設計並優化包括氮化鎵元件、驅動器以及控制單元在內的整個系統,我們在充電器中實現了前所未有的效率、功率密度和可靠性。與安克攜手,我們致力於提供高性能、精簡型且高能效的充電解決方案,以滿足當今行動裝置日益嚴苛的需求。」

英飛凌的數位控制技術確保了精確的能量管理,而基於氮化鎵的元件則是在高頻和高效功率轉換方面表現出色。透過將功率因數校正(PFC)與混合返馳式控制(HFB)階段整合,既縮小了尺寸,又提升了整體性能,英飛凌 XDP XDPS2221E 混合返馳數位組合控制器提升了充電器的能效,在不影響可靠性的前提下實現更高的功率密度。該技術可使任意單個 USB-C 埠輸出高達 140 W 的功率,並智能分配總功率 160 W 至三台裝置。其他關鍵元件包括帶有整合驅動器的 CoolGaN™ Drive 700 V G5 以及整合2個 GaN 電晶體於單一封裝的 CoolGaN™ Transistor Dual 650 V G5,不僅節省了電路板空間,還優化了佈局設計。

透過採用高效設計、高頻開關、軟開關控制以及數位組合控制技術,並結合多項專利創新,英飛凌優化了安克 Prime 充電器的整體系統性能。這不僅在相同尺寸內實現了更高的輸出功率,還減少了周邊元件數量,降低了物料清單(BOM)成本。

此次合作得益於英飛凌與安克在深圳設立的創新應用中心。該中心致力於研發更高能效、更低碳排放的充電解決方案,支援低碳化進程,並推動快充領域的創新發展。

供貨情況
點擊此處瞭解關於英飛凌 XDP XDPS2221E 混合返馳式控制器的更多資訊,點擊此處瞭解關於 CoolGaN 功率半導體的更多資訊。
 
Anker Prime 160W 三口充電器
 
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球電源系統及物聯網領域半導體的領導者,以其產品及解決方案驅動低碳化及數位化。英飛凌在全球擁有約 57,000名員工,2025 會計年度 (截至9月底),公司營收約為 147億歐元。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所(股票代碼:IFX) 以及美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier (股票代碼:IFNNY) 掛牌上市。

更多資訊請參考:www.infineon.com
本篇新聞稿之英文版亦可於官網取得:www.infineon.com/about/press
追蹤英飛凌動態:X - Facebook - LinkedIn

 

電子郵件:look@compotechasia.com

聯繫電話:886-2-27201789       分機請撥:11