ROHM第4代SiC MOSFET導通電阻比傳統產品降低約40%,與IGBT相比,效率可顯著提升,電耗約減少6%,同時兼顧高耐壓和低損耗,助力應用實現小型輕量化,有效延長電動車續航距離。

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