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意法半導體完整全橋系統封裝內建MOSFET、閘極驅動器和保護技術可節省空間、簡化設計並精簡組裝

時間:2017-12-07 08:31來源:意法半導體 作者:意法半導體 點擊:
2017年12月6日--橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)的 PWD13F60系統封裝(SiP)產品在一個13mm x 11mm的封裝內整合一個完整的600V/8A MOSFET全橋電路,能夠為工業馬達驅控制器、整流器、電源、功率轉換器和逆變器廠商節省物料成本和電路板空間。
 

 
相較於採用其他離散元件設計的全橋電路,其可節省60%的電路板空間,PWD13F60還能提升最終應用功率的密度。通常市面上銷售的全橋模組為雙FET半橋或六顆FET三相產品,但PWD13F60則整合了四顆功率MOSFET,是一個高效能的替代方案。有別於其他產品,僅需一個PWD13F60即可完成單相全橋設計,這讓內部MOSFET元件不會被閒置。新全橋模組可靈活地配置成一個全橋或兩個半橋。
 
透過意法半導體的高壓 BCD6s-Offline製程,PWD13F60整合了功率 MOSFET閘極驅動器和上橋臂驅動自舉二極體,其設計的好處是簡化電路板設計、精簡組裝過程,而且節省外部元件的數量。閘極驅動器經過優化和改進,取得高切換的可靠性和低EMI(電磁干擾)。該系統封裝還有交叉導通防護和欠壓鎖保護功能,有助於進一步降低佔位元之面積,同時確保系統安全。
 
PWD13F60的其他特性包括最低6.5V的寬工作電壓、配置靈活性,以及讓設計簡易性得到最大限度的提升。此外,新系統封裝輸入針腳還能接受 3.3V-15V邏輯訊號,連接微控制器(MCU)、數位文書處理器(DSP)或霍爾感測器將變得十分容易。
 
欲知更多產品資訊,請造訪:www.st.com/pwd13f60-pr
 
註釋:
依照新摩爾定律(MtM)的多元假設,意法半導體正在將其BCD(整合雙極-CMOS-DMOS)製程朝向高電壓、高功率和高密度等三個方向發展。BCD6s-Offline是一項0.32µm高壓製程,另外兩個高壓技術則是 BCD6s-SOI 和 0.16µm BCD8s-SOI,而BCD8sP和 0.11µm BCD9s是高密度製程。憑藉其BCD製造技術組合以及系統封裝(SiP)技術之專長(另一項MtM技術,在同一個封裝內疊放或平鋪多顆裸片),意法半導體有能力提升產品性能,並縮短新產品研發週期,可依照智慧功率應用的需求提供特定的功能。高度優化、尺寸輕巧的PWD13F60是意法半導體利用其在 MtM技術上之領先優勢所開發出來的新產品。

關於意法半導體
意法半導體(STMicroelectronics; ST)是全球領先的半導體公司,提供與日常生活息息相關的高效、智慧化產品及解決方案。意法半導體的產品無處不在,致力於與客戶共同努力實現智慧駕駛、智慧工廠、智慧城市和智慧家庭,以及下一代行動和物聯網產品。享受科技、享受生活,意法半導體主張以科技引領智慧生活(life.augmented)的理念。意法半導體2016年淨營收為69.7億美元,在全球各地擁有逾10萬客戶。詳情請流覽意法半導體公司網站:
http://www.st.com
(責任編輯:jane)
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