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在 Keysight Genesys 和 SystemVue 中 RF IC 放大器非線性模擬

本文作者:Eamon Nash       點擊: 2022-06-12 14:40
前言:
 
傳統上,線性和非線性 RF 電路模擬佔據了不同領域。為了模擬串聯小訊號增益和損耗,RF 設備設計人員傳統上一直廣泛使用 S 參數元件模型。由於缺乏數位形式的資料 ( 如 IP3、P1dB 和雜訊 ),而且常用 RF 模擬器中歷來沒有頻率變化模型結構,所以傳統方式中非線性模擬更具挑戰性。RF 電路設計人員通常採用自製的試算表來計算串聯雜訊和失真。但是,這些試算表難以模擬系統級特性,例如誤差向量幅度 (EVM) 和鄰道洩漏比 (ACLR);當訊號鏈由調變訊號驅動時,這些特性就變得很重要。
 
本文將探討一些將線性 S 參數資料與非線性資料 ( 如雜訊係數、IP3、P1dB 和 PSAT) 結合的 RF 放大器模型結構。並展示系統級模擬結果,以評估其對實際特性建模的準確程度。
 
圖 1:Keysight Genesys 螢幕截圖,展示了典型的 sys- 參數模型。
 

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