Transphorm推出SuperGaN FET 的低成本驅動器解決方案
前言：
Transphorm FET 使用簡單的半橋柵極驅動器實現了高達 99% 的效率，
驗證了在超過 1 kW 的寬功率範圍內具有成本效益的設計方案
2023年6月16日--新世代電力系統的未來, 氮化鎵（GaN）功率轉換產品的全球領先供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發佈了一款高性能、低成本的驅動器解決方案。這款設計方案面向中低功率的應用，適用於LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，加強了公司在這個30億美元電力市場客戶的價值主張。
不同於同類競爭的 e-mode GaN 解決方案需要採用定制驅動器或柵極保護器件的電平移位元電路，Transphorm 的 SuperGaN® FET由於可以與市售的驅動器搭配使用，更易於驅動，因此可提升客戶使用Transphorm器件的成本優勢。本次發佈的新款解決方案採用高速、非隔離式、高電壓半橋柵極驅動器，在不影響 GaN FET 或系統性能的情況下，進一步降低了系統總成本。
Transphorm業務發展和市場行銷高級副總裁Philip Zuk表示：“我們的常關型氮化鎵平臺能夠與業界熟知的市售驅動器配合使用，更適合市場應用，也更受市場歡迎。能夠根據需要來選定驅動器，對客戶來說是一個非常重要的優勢。客戶可以為不同性能優勢權重的設計挑選相應的驅動，從而更好地控制電力系統的成本。這對價格敏感的終端市場尤為重要。Transphorm 的GaN能夠提供更高性能，採用我們的氮化鎵器件，客戶可以根據最終結果來挑選BOM，從而以極佳的成本效益實現所需的性能。”
Transphorm還推薦各種其它驅動器，這些驅動具有高額定隔離電壓（控制至輸出的驅動信號）、短延遲、快速開啟/關斷、以及可程式設計死區時間等等優點，非常適合較高功率的應用。
電源適配器、電竟筆記型電腦充電器、LED照明、以及兩輪車和三輪車充電等中低功率應用對價格非常敏感，這些產品中的電源系統通常不需要類似安全隔離這樣的先進功能，使用高階的驅動器可能導致BOM成本不必要升高。
性能分析
該半橋柵極驅動器採用了 Transphorm 的 650 V、72 mΩ PQFN88 封裝器件 TP65H070LSG 進行測試。可用於橋式拓撲結構，如諧振半橋、圖騰柱 PFC、正弦波逆變器或有源箝位元反激式電路。
測試結果表明，無論是否使用散熱器或強制空氣進行冷卻，該低成本的驅動解決方案在低於/等於150kHz 的開關頻率下均運行良好。此解決方案最終在選定的配置中實現了接近 99% 的效率。
獲取應用指南
如需瞭解有關上述解決方案的更多詳情，請下載Transphorm應用指南AN0014 : 『面向中低功率 GaN FET 應用的低成本、高密度、高電壓矽驅動器（Low Cost, High Density, High Voltage Silicon Driver for Low- to Mid-Power GaN FET Applications）。
關於Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益於垂直整合的業務模式，公司能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、器件和應用支援。Transphorm的創新使電力電子設備突破矽的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高50%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請訪問www.transphormchina.com。歡迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上關注我們。
