Transphorm發佈緊湊型240瓦電源適配器參考設計，該方案採用了高性能TO-220封裝氮化鎵功率管
前言：
目前，同業競爭氮化鎵技術均未推出插件式封裝的氮化鎵器件。採用符合產業標準的插件式封裝，電源能夠以更低的成本獲得功率密度優勢。
2023年1月13日--高可靠性、高性能氮化鎵(GAN)電源轉換產品的先鋒企業和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日宣佈推出新的240瓦電源適配器參考設計。TDAIO-TPH-ON-240W-RD設計方案採用了CCM升壓PFC+半橋LLC拓撲結構，功率密度高達30W/in3，最大功率轉換效率超過96%。該設計使用了三個Transphorm的SuperGaN® 功率管 (TP65H150G4PS)，該氮化鎵功率管的導通電阻為150毫歐，採用為業界所熟悉且深受信賴的三引腳TO-220封裝。在使用PFC架構、較高電流的電源系統中，這種電晶體封裝形式具有出色的低壓線路散熱性能。
該參考設計旨在簡化並加速電源系統的開發，適用於高功率密度的交直流電源、快充、物聯網設備、筆記型電腦、醫療用電源、以及電動工具等應用。
主要規格及特點
TDAIO-TPH-ON-240W-RD是一款240W 24V 10A交直流電源適配器參考設計，採用Transphorm的TP65H150G4PS氮化鎵功率管，搭配onsemi的市售NCP1654 CCM PFC控制器和NCP1399 LLC控制器。使用一個25毫米的散熱器，該設計的功率密度超過了24W/in3。基於不同的散熱器設計，功率密度可提高約25%，達到30W/in3。
如此高的功率密度和轉換效率主要得益於設計中使用了TO-220封裝的功率管。目前，業界只有Transphorm提供這種封裝形式的高壓氮化鎵器件。電源適配器以及所有通用交直流電源的低壓線路（即90Vac）具有高電流，需要並聯兩個PQFN封裝（常見於增強型氮化鎵器件）的功率管，以達到所要求的功率輸出——使用這種方法，器件數量翻倍，降低了電源的功率密度。Transphorm的TO-220封裝有效解決了這一問題，以更低的成本實現卓越的功率密度，這是目前增強型氮化鎵器件無法做到的。
其它規格及特點還包括：
• 可運行於90至264 Vac的寬輸入電壓下
• 峰值效率超過96%，不同電路及負載下效率曲線平坦
• 精准的開關頻率調節，提高輸入EMI濾波器的利用率
• 超過180kHz的開關頻率，適用於緊湊型設計
該款新參考設計豐富了Transphorm的適配器/快充設計工具組合。該產品組合目前包括五個開放式USB-C PD參考設計，功率等級覆蓋45瓦至100瓦，以及兩個用於65瓦和140瓦的開放式USB-C PD/PPS適配器參考設計。
SuperGaN®的技術優勢
在設計SuperGaN平臺時，Transphorm的工程團隊借鑒了以往產品生產過程中的經驗，將這些知識與對性能、可製造性和成本的改進相結合，進而開發出一個由專利技術組成的新GaN平臺。該平臺在諸多方面均有實質性的改進和極大的簡化，例如：
• 性能：更平坦、更高的效率曲線，品質因數(RON*QOSS)提高約10%。
• 易設計性：在高輸出電流下, 開關節點不需增加緩衝電路。
• 成本：簡化器件組裝有助於降低成本。
• 穩健性：業界領先的+/-20Vmax柵極穩健性和4V抗幹擾性能。
• 可靠性：業界領先的可靠性，在超過850億小時的現場應用中，FIT失效率<0.10。
相關檔下載
TDAIO-TPH-ON-240W-RD設計檔下載：
關於 Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力於設計、製造和銷售用於高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵智慧財產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益於垂直整合的業務模式，Transphorm能夠在產品和技術開發的每一個階段進行創新：設計、製造、器件和應用支援。Transphorm的創新正在使電力電子設備突破矽的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統成本降低20%。Transphorm的總部位於加州戈利塔，並在戈利塔和日本會津設有製造工廠。如需瞭解更多資訊，請訪問www.transphormchina.com。歡迎在Twitter @transphormusa和微信@Transphorm_GaN上關注我們。
