2022年12月22日德國慕尼黑訊】未來電力電子系統的設計不斷進化，追求先進的效能和功率密度。為滿足這項趨勢，英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 在 25-150 V 等級產品中推出全新源極底置 3.3 x 3.3 mm² PQFN 系列，包括有底部冷卻 (BSC) 和雙面冷卻 (DSC) 兩個版本。新產品系列從元件層級加以大幅強化，提供極為吸引人的 DC-DC 電源轉換解決方案，為伺服器、電信、OR-ing、電池保護、電動工具、充電器應用的系統創新開啟了嶄新的可能性。
新產品組合結合了英飛凌最新的 MOSFET 技術與最先進的封裝，將系統效能提升到新層次。在源極底置 (SD) 概念中，MOSFET 晶粒源極接點翻轉朝向封裝的底面，然後焊接到 PCB。此外，此概念還包含改善晶片頂部的汲極接點設計，以及領先市場的晶片封裝面積比。
隨著系統外形尺寸不斷縮小，有兩項關鍵至關重要：減少功率損耗和最佳化散熱管理。與同級最佳的 PQFN 3.3 x 3.3 m² 汲極向下裝置相比，新系列的導通電阻 (RDS(on)) 大幅改善了 25%。英飛凌的 OptiMOS 源極底置 PQFN 具有雙面冷卻功能，可提供強化的熱介面，將功率損耗從開關轉移到散熱器。雙面冷卻版本用最直接的方式將電源開關連接到散熱器，與對應的底部冷卻源極底置版本相比，功率消耗能力提高多達三倍。
兩種不同的封裝版本均為 PCB 佈線帶來最佳的彈性。傳統的標準閘極版本可快速輕鬆地修改現有的汲極向下設計。中心閘極 (CG) 版本為並聯裝置開闢全新可能性，將驅動器到閘極間的連接盡可能地縮至最短。整個 OptiMOS 源極底置 PQFN 3.3 x 3.3 mm² 25-150 V 產品系列皆擁有高達 298 A 的卓越連續電流能力，能使系統發揮最高效能。
供貨情況
OptiMOS 源極底置 PQFN 3.3 x 3.3 mm² 25-150 V 產品系列包含標準閘極和中心閘極兩種尺寸版本，均採用雙面冷卻封裝，即日起接受訂購。詳細資訊請瀏覽 www.infineon.com/source-down。
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