2022年11月9日--為了滿足當今市場對於產品小型化、高能效的需求，英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX / OTCQX:IFNNY) 推出全新 CoolMOS™ PFD7 高壓 MOSFET 系列，為 950 V 超接面 (SJ) 技術樹立新標竿。全新 950 V 系列具有出色的效能與易用性，採用整合的快速二極體，確保元件堅固耐用，同時降低了 BOM (物料清單) 成本。新產品專為超高功率密度和超高效率的產品設計量身打造，主要適用於照明系統以及消費與工業領域的 SMPS 應用。
產品適用於返馳式、PFC 以及 LLC/LCC 設計，包括半橋式或全橋式組態。由於整合了快速二極體和超低逆復原電荷 (Qrr)，因此可提供耐用又可靠的快速二極體硬切換，並成為此電壓等級中最耐用的 SJ MOSFET，能適用於目標應用中的所有拓撲。此外，大幅降低切換損耗 (EOSS、QOSS 及 Qg) 可提升硬切換和軟切換應用的效率，且與 900 V CoolMOS C3 SJ MOSFET 相比，MOSFET 溫度最多可降低 4°K。新產品將輕負載和全負載的 PFC 效率提高 0.2% 以上，同時符合 LLC 效率方面的效能要求，更有助於邁向更環保的世界。
新產品系列降低了各種 SMD 和 THD 封裝元件的導通電阻 (RDS(on)) 值，最高可降低55%，例如 DPAK封裝元件的導通電阻值為 450 mΩ 或 TO247封裝元件的導通電阻值為 60 mΩ。設計人員可透過更小的封裝尺寸、大幅提高功率密度並節省電路板空間，降低 BOM 與生產成本。閘極源極閾值電壓 (V(GS),th) 為 3 V，而最小的 V(GS),th 變化為 ±0.5 V，可方便新元件的設計導入和驅動，提高了設計自由度。利用低閾值電壓和容許值的緣故，可避免使用 MOSFET 線性模式運作，降低了驅動電壓和閒置損耗。此外，與 CoolMOS C3 相比，新產品的閘極電荷提升了 60% ，大幅降低驅動損耗。而且能夠達到人體放電模型 (HBM) 2 級靜電放電敏感度標準，確保 ESD 的穩健性，進而減少與 ESD 有關的設備故障，提高了產量。
供貨情況
全新 950 V CoolMOS PFD7 系列具備高度精細化的產品組合並採用 SMD 和 THD 封裝，外型尺寸更小，同時提高功率密度和節省 BOM成本。所有產品型號現已開始出貨。詳細資訊請瀏覽：www.infineon.com/pfd7-950v。
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