2021年9月29日--作為半導體製造與先進晶圓級封裝應用領域中領先的晶圓制程解決方案供應商，盛美半導體設備近日發佈了一款300mm晶圓單片SPM（硫酸和過氧化氫混合酸）設備，可廣泛應用于先進邏輯、DRAM，3D-NAND等積體電路製造中的濕法清洗和刻蝕制程，尤其針對處理高劑量離子注入後的光刻膠（PR）去除制程，以及金屬刻蝕、剝離制程。該新設備拓展了盛美的SPM制程產品，覆蓋了高溫SPM的制程步驟，隨著技術節點推進到10nm及以下，這些步驟數量將越來越多。
“盛美的單片SPM設備是在盛美的Ultra C Tahoe設備基礎上而開發。盛美Tahoe設備的優越性能已得到驗證，可解決大部分常規溫度的SPM制程步驟。”盛美半導體設備董事長王暉表示，“我們開發的單片SPM設備，對Tahoe設備已被驗證的制程能力做了進一步補充增加了高溫SPM制程能力，也進一步豐富了我們的濕法產品系列。我們以成為全球主要的清洗解決方案供應商為目標，會繼續開發新的制程能力，包括先進的高溫IPA乾燥技術和超臨界二氧化碳乾燥技術。”
目前大部分SPM濕法制程中硫酸與雙氧水混合後的制程溫度在145攝氏度以下，被廣泛應用於光刻膠去除，刻蝕後、常規劑量離子注入後、化學機械拋光（CMP）後的清洗制程。盛美的Ultra C Tahoe系統已於2018年發佈，將槽式硫酸與單片清洗整合在一套系統中，針對處理上述這些制程，其優越的性能已獲得了業界的認可，在得到更好的清洗效果的同時，因為大幅減少了硫酸的用量，成本也得以大幅降低。
然而，隨著技術節點推進到10nm及以下，制程溫度要求在145攝氏度以上、甚至超過200攝氏度的SPM制程步驟逐漸增加。高劑量離子注入後的光刻膠去除、無灰化步驟的純濕法去膠制程，以及特殊的金屬膜層刻蝕或剝離，都對SPM的溫度提出了更高的要求，盛美新的單片SPM設備因能支援更高溫度正好解決了這一過渡問題，並提供了額外的優勢，包括縮短制程時間、去除有機物污染、減少清洗和去膠後膜層損失等。
“盛美的Tahoe系統所針對的硫酸制程為主流的常規溫度，與一般的單片SPM系統相比，可顯著減少硫酸用量，環境友好。”王暉博士表示：“而更先進的技術節點越來越多地採用更大劑量的離子注入制程。這些高劑量離子注入使光刻膠硬化，這樣就要求更高溫度的SPM來進行有效的去除，以免產生缺陷。我們新的單片高溫SPM設備可滿足這些需求，優化的制程腔體可支援更高的溫度，使我們在關鍵制程步驟之後能更快更有效地去除硬化的光刻膠與有機物殘留缺陷。”
盛美的新型單片高溫SPM設備使用獨特的多級梯度加熱系統來預熱硫酸，然後將硫酸與過氧化氫混合以達到超高溫。同時，盛美腔體支援配置其他多種化學品，並配備線上化學品混酸（CIM）系統，可用於動態設置制程中的化學品配比及溫度。該腔體配置還可支援更多的化學品和靈活的輔助清洗方案，比如盛美獨有的專利技術SAPS和TEBO兆聲波技術。
盛美半導體已於2021年交付兩台該新設備給國內的客戶進行制程開發與驗證，其中一家從事邏輯制程研發，另一家從事存儲制程研發。最近，盛美又收到了來自中國客戶的新訂單，預計2022年初交付。這些設備配備了盛美獨有的兆聲波清洗方案，可拓展應用於3D結構清洗，如矽通孔清洗(TSVs)等。
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盛美半導體設備
盛美半導體設備公司從事對先進積體電路製造與先進晶圓級封裝製造行業至關重要的單片晶圓及槽式濕法清洗設備、電鍍設備、無應力拋光設備和熱處理設備的研發、生產和銷售，並致力於向半導體製造商提供定制化、高性能、低消耗的制程解決方案，來提升他們多個步驟的生產效率和產品良率。
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