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英特爾IDM 2.0戰略與區域競合 開啟晶圓製造競爭新局

本文作者:DIGITIMES Research       點擊: 2021-05-17 12:48
前言:
2021年5月17日--DIGITIMES Research 伴隨非記憶體類晶圓製造技術逐步推進到10奈米以下,台積電、三星電子(Samsung Electronics)、英特爾(Intel)等已成少數競爭業者。綜合製造技術發展與生產能力,目前台積電暫時領先,但三星、英特爾也各擁競爭優勢。而英特爾拋出「IDM 2.0」戰略,除加劇三者競爭態勢,同時,半導體區域競合也開啟三者競爭新局。
 
從先進製程來看,至2023年台積電將持續領先三星與英特爾,三星雖有意率先量產環繞式閘極場效電晶體(Gate-All-Around FET;GAAFET),但生產技術掌握度、材料與設備配套完善度、客戶採用意願等,都是三星如期量產GAAFET的變數。至於先進封裝部分,三家皆有2.5D封裝量產經驗,但英特爾3D先進封裝已有量產經驗,發展進程相對領先。
 
值得一提的是,英特爾「IDM 2.0」戰略雖使台積電、三星及英特爾的競爭局勢更趨複雜,然考量戰略效益仍有疑慮,DIGITIMES Research分析師陳澤嘉預估,台積電可望延續競爭優勢。另外,在區域競合態勢升溫的背景下,歐、美等國有意加強半導體製造本土化政策,將成台積電、三星與英特爾在競爭優勢維持與策略布局的重點考量。 
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