2020年11月3日--當代的電源系統設計需求高功率密度等級和精巧的外型尺寸，以期得到最高的系統級效能。英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 透過專注於元件級的強化達到系統創新，來應對此一挑戰。繼2 月份推出 25 V 裝置後，英飛凌再推出 OptiMOS™ 40 V 低電壓功率 MOSFET，採用源極底置 (SD, Source-Down) PQFN 封裝，尺寸為 3.3 x 3.3 mm2。這款 40 V SD MOSFET 適用於伺服器的 SMPS、電信和 OR-ing，還適用於電池保護、電動工具和充電器等應用。
SD 封裝的內部採用上下倒置的晶片。如此一來，讓源極電位 (而非汲極電位) 能透過導熱片連接至 PCB。與現有技術相比，此版本最終可使 RDS(on) 大大降低 25%。相較於傳統的 PQFN 封裝，接面與外殼間的熱阻 (RthJC) 亦獲得大幅改善。SD OptiMOS 可承受高達 194 A 的高連續電流。此外，經過最佳化的配置可能性和更有效的 PCB 利用，可實現更高的設計靈活性和最高效能。
供貨情況
OptiMOS SD 40 V 低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本：標準版和中央閘極版。中央閘極版針對多部裝置並聯作業進行最佳化。兩個版本皆採用 PQFN 3.3 x 3.3 mm2 封裝，即日起接受訂購。欲獲得更多資訊請瀏覽 www.infineon.com/source-down。
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