eGaN®FET實現98%效率、250 W/48 V 的DC/DC解決方案，用於超薄且有高密度的運算應用
前言：
基於宜普電源轉換公司（EPC）超高效eGaN®FET的兩種高功率密度DC/DC轉換器，推動超薄筆記型電腦、顯示器、高端遊戲系統和其他纖薄型消費電子產品實現高效解決方案
宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出用於48 V DC/DC轉換的EPC9148和EPC9153演示板。 EPC9153是一款250 W超薄電源模組，採用簡單且低成本的同步降壓配置，峰值效率高達98.2％，元件的最大厚度為6.5 毫米。 EPC9148使用多電平拓撲結構，元件的最大厚度小於4 毫米，峰值效率為98％。
該兩款演示板集成了Microchip公司的 dsPIC33CK數位信號控制器（DSC）和EPC公司最新一代100 V氮化鎵場效應電晶體，具有超薄外型尺寸，在12.5 A時，實現超過 98％的效率。由於Microchip數位控制器具有高靈活性，因此允許在44 V~60 V範圍內調節輸入電壓，而輸出電壓在5 V~20 V範圍內。
EPC9148多電平轉換器縮小了支援磁性元件的模組尺寸，同時在緊湊的解決方案中，實現高效率。 EPC9148演示板的亮點之一是採用Würth Elektronik的超薄功率電感器，從而實現具有超高功率密度的設計。
EPC9153演示板提供簡單且低成本的同步降壓配置，從而使元件可以實現纖薄的最大厚度、98.2％的峰值效率和在20 V輸出時，上升溫度少於40°C。 eGaN FET憑藉其快速的開關性能，提高整體效率，而它的晶片級佔板面積使其易於散熱，從而實現緊湊型設計所需的低上升溫度。
EPC公司應用工程副總裁Michael de Rooij說：「電腦、顯示器、智慧型電話和其他消費電子系統變得越來越纖薄，功能卻越來越強大。我們很高興與Microchip Technology和Würth Elektronik合作，開發出超薄且高效的解決方案，從而應對在有限的空間和體積內取得更高的功率的挑戰。。」
宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理元件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET元件的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體及積體電路，其目標應用包括直流- 直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、功率逆變器、雷射雷達（LiDAR） 及 D類音訊放大器等應用，元件性能比最好的矽功率MOSFET元件高出很多倍。此外，宜普公司正在擴大基於eGaN IC的產品系列，為客戶提供進一步節省佔板面積、節能及節省成本的解決方案。詳情請訪問我們的網站，網址為www.epc-co.com.tw 。
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
