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專為強化諧振拓撲運作效能打造 英飛凌全新 650 V CoolMOS™ CFD7 登場

本文作者:英飛凌       點擊: 2020-10-08 17:10
前言:

2020年10月8日--在工業應用 SMPS 的設計上,最新的技術趨勢會將高效率、高功率密度及匯流排電壓上升的需求作整體考量,也因此觸發了對 650V耐電壓功率元件的需求。英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 旗下 650 V CoolMOS™ CFD7 產品系列即可滿足上述需求。此裝置適用於軟切換應用的諧振拓撲,例如電信電源、伺服器、太陽能和非車載的電動車充電。
 
 
新款 650 V裝置擴展了聲譽卓越的 CoolMOS CFD7 系列的電壓範圍,且為 CoolMOS CFD2 的後繼產品。新款 650 V 產品可搭配 LLC 和零電壓切換相移全橋拓撲,較前幾代產品能提供多項優勢。本產品系列耐電壓提升 50 V,搭配整合高速本體二極體技術及更出色的切換效能,非常適合用於當代設計。極低的逆回復電荷加上優異的散熱特性,也添加了更多優勢。
 
切換損耗與 RDS(on) 過熱相依性皆大幅降低,此產品系列具備非常優異的硬式整流耐用度。由於閘極電荷 (Qg) 改善,加上快速的切換效能,650 V CoolMOS CFD7 系列可提高整個負載範圍的效率。在主要的SMPS應用中,相較於競爭產品,這些 MOSFET提供絕佳的輕載效率,滿載效率也有所提升。此外,同級最低 RDS(on) 也能讓客戶能以極具競爭力的價格,提升 SMPS 的功率密度。
 
供貨情況
TO-220、TO-247 及 TO-247 4 針腳封裝的 650 V CoolMOS CFD7 即日起接受訂購。詳細資訊請瀏覽 www.infineon.com/650V-CFD7
 

 

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