2020年3月3日--英飛凌科技股份有限公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）成功開發出滿足最高效率和品質要求的解決方案，針對 MOSFET 低頻應用新推出 600 V CoolMOS™ S7系列產品，帶來領先的功率密度和能源效率。CoolMOS™ S7系列產品的主要特點包括導通性能優化、熱阻改善以及高脈衝電流能力，並且具備最高品質標準。該元件適合的應用包括有源橋式整流器、逆變級、PLC、功率固態繼電器和固態斷路器等。此外，10 mΩ CoolMOS™ S7 MOSFET是業界RDS(on)最小的元件。
該產品系列專為低頻開關應用而開發，旨在降低它們的導通損耗，確保最快速的回應和最高的效率。CoolMOS™ S7 裝置實現了比 CoolMOS™ 7 產品更低的RDS(on) x A，因而能夠成功地抵銷開關損耗，實現更低的導通電阻和成本。對於高壓開關而言，CoolMOS™ S7 產品擁有市面上最低的導通電阻（RDS(on)）。此外，10 mΩ 晶片採用創新的頂面冷卻 QDPAK 封裝，22 mΩ晶片採用先進的小型 TO 無引腳（TOLL）SMD 封裝。這些 MOSFET 可助力實現經濟、簡化、精巧、模組化和高效的設計。設計出來的系統可以輕鬆滿足規範要求和能效認證標準（如適用於 SMPS 的 Titanium® 標準），也能滿足功率預算，減少零件數量和散熱墊需求，同時降低整體擁有成本（TCO）。
供貨情況
22 mΩ 600 V CoolMOS™ S7 裝置提供 TO-leadless 封裝和 TO-220 封裝，40 mΩ 和 65 mΩ 裝置採用 TO-leadless 封裝。10 mΩ CoolMOS™ S7 MOSFET 將在2020年第四季上市。如欲瞭解更多資訊，請瀏覽： www.infineon.com/s7。
22 mΩ 600 V CoolMOS™ S7 裝置提供 TO-leadless 封裝和 TO-220 封裝，40 mΩ 和 65 mΩ 裝置採用 TO-leadless 封裝。10 mΩ CoolMOS™ S7 MOSFET 將在2020年第四季上市。如欲瞭解更多資訊，請瀏覽： www.infineon.com/s7。
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