2019年5月21日--電源轉換產品在我們的日常生活中無所不在，各類技術的演進也讓各種輕薄短小的電源轉換產品得以實現。然而，就功率元件材料而言，矽材料的發展已接近其物理極限，讓市場更加看好寬能隙材料的應用前景。全球半導體領導廠商英飛凌科技 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 旗下氮化鎵功率元件CoolGaNTM e-mode HEMT 系列憑藉其高功率密度、同級最佳效率及降低系統成本等優勢，榮獲 2019年度Computex BC Award 類別獎。同時，英飛凌也是目前市場上唯一一家專注於高壓功率器件，涵蓋矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）材料且具有良好市場地位的全方位供應商。
英飛凌CoolGaN e-mode HEMT 採用常閉式( norm-OFF) 概念，不僅讓設計人員容易導入，同時也實現快速開通和關斷。CoolGaN 開關具極低的柵極電荷及反向導通狀態下的優異動態性能，能夠進而大幅提高系統工作頻率，從而透過縮小儲能及能量轉換元件的總體尺寸，提高功率密度，在相同能效下的功率密度可達140 W / in3（3 kW LLC，效率 > 98％），在相同的轉換系統尺寸中達到幾乎三倍的輸出功率，換言之，可節省更多空間。CoolGaN e-mode HEMT 支援高頻運行的應用，包括：企業與資料中心伺服器、電信整流器、適配器、充電器和無線充電設施等。
英飛凌是唯一擁有自身完整價值鏈的供應商 – 從製造、品質管理乃至系統設計支援。在CoolGaN的品質管理流程中，不僅對產品本身做測試，還包括產品於應用中特性表現的測試。此外，CoolGaN 擁有高度的耐用性以 100 ppm (百萬分之一) 的失效率來看，預估零件使用壽命約為 55 年，超越預期壽命40年，是市面上最可靠且通過全球認證的 GaN 解決方案之一。
根據市調機構IHS Markit之報告*，2026年整體 GaN 功率元件市場規模將超越 10億美金。CoolGaN的高效率及其為系統帶來的高功率密度，不僅有助於節能減碳，實現更加小巧輕盈的設計，亦協助客戶降低系統總成本和營運成本，減少資本支出。在未來萬物聯網與 AI 應用的時代，數據儲存及運算需求將大幅增加，對能源與電力的需求也加倍遽增。CoolGaN 將成為推動「節能永續」不可或缺的重要元件技術。
* IHS Markit 「2018年碳化矽與氮化鎵功率半導體報告」2018年4月。節錄資料內容不代表英飛凌為其背書。任何對此報告之依賴須由第三方自行承擔風險。更多資訊請造訪 www.technology.ihs.com
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球半導體領導廠商，致力於讓生活更便利、更安全、更環保。英飛凌的微電子是進化未來的關鍵技術。2018 會計年度 (截至9月底)，公司營收為 76億歐元，全球員工約 41,000 名。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所上市(交易代碼：IFX)，並於美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier 掛牌(交易代碼：IFNNY)。
英飛凌科技股份有限公司是全球半導體領導廠商，致力於讓生活更便利、更安全、更環保。英飛凌的微電子是進化未來的關鍵技術。2018 會計年度 (截至9月底)，公司營收為 76億歐元，全球員工約 41,000 名。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所上市(交易代碼：IFX)，並於美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier 掛牌(交易代碼：IFNNY)。
