2019年5月17日--英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 1200 V CoolSiC™ MOSFET 產品組合進入大量生產階段。這些產品的額定值從 30 mΩ 至 350 mΩ ，並採用 TO247-3 與 TO247-4 封裝。另更延伸產品系列，即將推出的新產品包括表面黏著裝置 (SMD) 產品組合及 650 V CoolSiC MOSFET 產品系列。藉由這些產品，英飛凌滿足了電源轉換方案對節能 SiC 解決方案的快速成長需求，包括：電池充電基礎設施、能源儲存解決方案、光伏逆變器、不斷電系統 (UPS)、馬達驅動器，以及伺服器和通訊電源開關式電源供應器 (SMPS)。
英飛凌工業電源控制事業處總裁 Peter Wawer 表示：「在英飛凌，新基礎技術的推出必須通過嚴格品質標準的控管。即使在組裝分立封裝產品時，其前端和後端的量產生產流程也必須通過驗證，包括統計資料的收集、生產監控，以及超越標準化程序的應用相關測試。在碳化矽 (SiC) MOSFET 基底技術安整地完成量產階段驗證後，我們成功地推出工業應用的完整分立式SiC 產品系列。」
如同所有先前採用的 TO247 和 Easy 功率模組封裝的CoolSiC MOSFET產品，新款分立式裝置採用領先業界的溝槽式 SiC MOSFET 半導體製程技術，兼具最低的應用損耗以及最高的可靠性。此外，根據相關的應用，此閘源工作電壓符合分立封裝解決方案之需求。低動態損耗特性，致使可藉由簡易的單電源閘極驅動方案實現最高的效率。
CoolSiC 溝槽技術獨具高於 4 V 的高閾值電壓額定值 (Vth)，並結合低米勒電容。因此，相較於市場上其他的 SiC MOSFET，CoolSiC MOSFET 具有最佳的防止寄生導通效應的抗性。全新的英飛凌 SiC 分立式 MOSFET 結合 +18 V 的導通閘源電壓與 5 V 餘量以達到最大額定電壓 +23 V，並具有超越矽 (Si) IGBT、超接面 MOSFET 以及其他 SiC MOSFET 的優勢。
CoolSiC MOSFET 產品組合包含一個適用於硬換流且堅固耐用的本體二極體，為工程師提供實現最高能源效率以及「以更少投入獲得更多產出」的途徑。SiC 材料中的 MOSFET 功能可為功率因子校正 (PFC) 電路、雙向拓樸，以及任何軟硬切換 DC-DC 轉換器或 DC-AC 逆變器提供更高的系統設計靈活性。
英飛凌透過一系列精選的驅動 IC 產品完成其分立元件產品陣容，能滿足超快速 SiC MOSFET 切換功能的相關需求。CoolSiC MOSFET 與 EiceDRIVER™ 閘極驅動 IC 共同運用此技術的優勢：提高效率、縮減空間與重量、減少零件數量，以及提高系統可靠性。這一切將可降低系統成本、減少營運支出及總體擁有成本，有助於在智慧能源世界中實現新的解決方案。
供貨情形
採用 TO247 封裝的 1200 V CoolSiC MOSFET 已開放訂購，並提供標準交貨時間。相應導通電阻額定值，採用 D2PAK-7 封裝的 SMD 產品組合之工程樣品預計將於 2019 年第四季提供。採用 TO247-3 與 TO247-4 封裝、額定值 26 mΩ 至 107 mΩ 的 650 V CoolSiC MOSFET 工程樣品將於 2019 年第四季推出。詳細資訊請瀏覽 www.infineon.com/coolsic-mosfet。
採用 TO247 封裝的 1200 V CoolSiC MOSFET 已開放訂購，並提供標準交貨時間。相應導通電阻額定值，採用 D2PAK-7 封裝的 SMD 產品組合之工程樣品預計將於 2019 年第四季提供。採用 TO247-3 與 TO247-4 封裝、額定值 26 mΩ 至 107 mΩ 的 650 V CoolSiC MOSFET 工程樣品將於 2019 年第四季推出。詳細資訊請瀏覽 www.infineon.com/coolsic-mosfet。
