2018年10月17日--力旺電子今天宣布其一次可編程(OTP)記憶體矽智財NeoFuse成功導入22奈米全空乏絕緣上覆矽(fully-depleted silicon-on-insulator，FD-SOI)製程平台(22FDX)，NeoFuse技術繼在FinFET製程平台完成驗證後，再次於FD-SOI製程證明其優異的特性。
NeoFuse解決方案具有低功耗、高可靠度、高安全防護、介面簡易及高彈性等特性，目前已與全球各大晶圓廠合作導入至多項先進製程平台。
力旺此次推出具有競爭力的OTP矽智財將有助強化22FDX平台，提升行動裝置、物聯網及RF連接等市場多元應用。預計在22FDX平台上使用這項解決方案的客戶將能因此受惠，創造競爭優勢。
力旺業務發展中心副總經理何明洲表示:「NeoFuse能夠為客戶創造競爭優勢，我們很高興能與世界級的代工廠合作，將這項矽智財方案的製程布局延伸至22FDX平台。」
目前業界在先進製程的OTP技術需要多次的寫入動作才能完成，力旺電子NeoFuse技術可確實做到「一次」將資料成功寫入，不僅可降低客戶的測試成本，也能提高可靠度。
此外，力旺電子NeoFuse技術可於超低電壓操作，系統於啟動最初階段即可開始動作以提供晶片的安全認證，特別適用於智慧卡、行動支付及物聯網等應用，並具有低漏電及優於一般的面積成本優勢。
力旺更預計在22FDX平台進一步推出新的NeoFuse矽智財規格，提供低至0.5V之操作電壓，以滿足更多客戶推出低功耗物聯網產品的需求，預計將於2019年第一季完成設計定案(Tape-out), 並於2019年第三季完成可靠度驗證。
關於力旺電子
力旺電子(3529)是全球第七大半導體矽智財供應商，專精嵌入式Hard IP設計。自2000年成立以來，力旺持續提供全球1,300多家晶圓廠、整合元件廠和IC設計公司一流的矽智財解決方案。自台積公司2010年創設「IP Partner Award」以來，力旺每年都以卓越的IP設計及服務獲得此一獎項的肯定。
力旺在全球嵌入式非揮發性記憶體市場(embedded Non-volatile Memory)位居領導地位，其eNVM解決方案廣泛布建於全球主要晶圓廠製程，涵蓋製程技術之廣位居業界之冠。此外，力旺也領先業界以矽晶圓生物特徵開發其特有的晶片安全矽智財。
力旺的eNVM 矽智財系列包括可一次編寫記憶體 (NeoBit/NeoFuse)和可多次編寫記憶體 (NeoMTP/NeoFlash/NeoEE)，以及晶片安全矽智財NeoPUF。
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