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意法半導體(ST)提升車用40V MOSFET的雜訊表現和效能

本文作者:意法半導體       點擊: 2016-11-11 15:04
前言:
 2016年11月11日--橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)發佈兩款40V車用等級MOSFET。新產品採用意法半導體最新的STripFET™ F7製造技術,開關性能優異且效能出色、雜訊輻射極低,且抗干擾能力強。新產品最大輸出電流達120A,主要應用包括高電流的動力總成、車身或底盤和安全系統,同時優異的開關特性使其適用於馬達驅動裝置,例如,電動助力轉向系統(Electric Power Steering ,EPS)。
 
意法半導體的STripFET系列採用DeepGATE™技術,達到降低晶片單位面積導通電阻和RDS(on) x 柵電荷(Qg)值,在採用相同的功率元件封裝條件提供更高的效能。高雪崩耐受度特點是此新產品另一大亮點。
 
透過降低體效應二極體的反向恢復電荷(Qrr)和反向恢復時間(trr),STripFET F7增強切換性能和大幅提升產品效能,另外軟性反向恢復可大幅降低靜電干擾 (electromagnetic interference ,EMI),從而放寬對濾波元件的要求。此外,優化此裝置的容值,使元件抗干擾性獲得改善,緩解對緩衝電路的需求,柵極磁滯電壓校調使元件具有良好的抗干擾功能,而無需專用柵極驅動器。在馬達驅動等電橋拓樸中,二極體軟性恢復特性有助於防止直通電流現象發生,從而提升驅動電路的可靠性。
 
40V STL140N4F7AG 和 STL190N4F7AG通過AEC-Q101標準認證,採用側面可沾錫焊接的PowerFLAT 5x6封裝。小巧的封裝面積和0.8mm的厚度支援高系統功率密度,此外側面鍍錫設計有助於提升焊接可靠性和壽命,以及100%支援自動光學檢驗程序。
 
40V車用STripFET F7 MOSFET即日起量產。
 
更多產品資訊,請造訪:www.st.com/stripfetf7 
 
關於意法半導體
意法半導體(STMicroelectronics;ST)是全球領先的的半導體公司,提供多項與日常生活息息相關的高能效、高智慧化產品及解決方案。意法半導體的產品無所不在,致力於與客戶群共同努力實現智慧駕駛、智慧工廠、智慧城市和智慧家庭,以及下一代行動和物聯網產品。意法半導體代表著科技帶動智慧生活(life.augmented)的理念。意法半導體2015年淨收入69.0億美元,在全球各地擁有10萬客戶。詳情請瀏覽意法半導體公司網站www.st.com
 

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