2014年3月13日--矽基增強型功率氮化鎵(eGaN®)功率電晶體之全球領導廠商宜普電源轉換公司將於亞太區業界技術研討會進行三場技術演講。
於3月18日在中國上海舉行的兩場業界研討會中，宜普公司技術專家將與您分享更高效的氮化鎵（GaN）功率器件如何替代陳舊的矽MOSFET器件，並如何在無線電源傳送（WiPo）應用取得更高性能。多個提高性能的範例包括在一個全新功率轉換設計中提高效率達20%，及另一個設計在6.78 MHz的ISM頻帶下工作並使用鬆散耦合線圈，可傳送高達30W功率。
於4月10日宜普公司的首席執行長及共同創辦人Alex Lidow博士將於寬能隙電力電子國際研討會演講，議題為“利用氮化鎵擊敗矽技術”。Lidow希望藉著這個促進技術合作和知識交流的機會與工程師分享全新應用、目前市場上最新的產品資訊、氮化鎵技術未來發展的路線圖及氮化鎵與功率MOSFET、碳化矽器件的相對競爭力的比較。
宜普公司參加的業界研討會總覽：
第十三屆慕尼克上海電子展 - 國際電力電子創新論壇
日期：2014年3月18日
議題: 採用氮化鎵場效應電晶體(eGaN® FET)的無線電源傳送解決方案
演講者：宜普公司應用工程行政總監Michael De Rooij博士、
亞太區FAE總監鄭正一
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