2013年12月13日--意法半導體先進的V系列600V溝槽式場截止（trench-gate field-stop）型IGBT[1]擁有平順、無曳尾（tail-less）電流的關機特性，飽和電壓（saturation voltage）更是低達1.8V，最大工作結溫高達175°C，這些優勢將有助於開發人員提高系統能效和開關頻率，並簡化散熱設計和電磁干擾[2]設計。
透過消除IGBT固有的關機曳尾電流特性，意法半導體的新元件提高了開關能效與最大開關頻率。新產品的裸片非常薄，有助於提高開關和散熱性能。意法半導體獨有且經最佳化的溝槽式（trench-gate）場截止型（field-stop）製程降低了熱阻，最高結溫高達175°C，同時實現了對飽和電壓等參數的嚴格控制，允許多個IGBT安全平行，進而提高電流密度和通態能效。
全新的IGBT非常穩固，擁有很高的Dv/dt耐壓性能。與IGBT封裝在一起的超高速軟恢復（soft-recovery）二極體可最大幅度地降低導通能耗。針對更成本更敏感的應用，意法半導體還推出了可無二極體（Diode-free）的型號選項。
關於意法半導體
意法半導體（STMicroelectronics；ST）是全球領先的半導體解決方案供應商，為感測及功率技術與多媒體融合應用領域提供創新的解決方案。從能源管理和節能技術，到數位信任和資料安全，從醫療健身設備，到智慧型消費性電子，從家電、汽車，到辦公設備，從工作到娛樂，意法半導體的微電子元件技術無所不在，在豐富人們的生活方面發揮著積極、創新的作用。意法半導體代表著科技帶動智慧生活（life.augmented）的理念。
