2021年5月12日--英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 利用新型氮化鋁 (AIN) 陶瓷基板，成功改良 EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET 模組。此半橋式裝置有 EasyDUAL 1B 及 EasyDUAL 2B 兩種封裝型式，導通電阻 (RDS(on)) 依序各是 11 mΩ 及 6 mΩ。新款 1200 V 裝置採用高性能陶瓷，因此適合高功率密度應用，如太陽能系統、不斷電系統、輔助變頻器、儲能系統及電動車充電器等。
EasyDUAL 模組之 FF11MR12W1M1_B70 和 FF6MR12W2M1_B70 裝置採用最新 CoolSiC MOSFET 技術，閘極氧化層可靠度極佳。經過改良的 DCB 材料導熱性，可降低至散熱片之熱阻 (RthJH)高達 40% 。CoolSiC Easy 模組結合新型 AIN 陶瓷，不僅可提高輸出功率，還能降低接面溫度，進而大幅延長系統壽命。
供貨情況
EasyDUAL CoolSiC MOSFET 模組之 FF11MR12W1M1_B70 及 FF6MR12W2M1_B70 裝置已經上市。詳細資訊請瀏覽 www.infineon.com/easy。
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