2021年4月9日--以低頻切換 MOSFET 的應用中，高功率產品設計必須符合幾個關鍵特性：包括減少導通損耗、提供最佳熱行為，實現小體積輕量化系統，並且保持經濟成本的最高品質。為符合上述需求，英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 針對靜態切換應用，在 600 V CoolMOS™ S7 系列中新增兩款最佳化裝置，分別是工業級 CoolMOS S7 10 mΩ 以及車規級 CoolMOS S7A。
CoolMOS S7 10 mΩ 具有極小的 600 V 超接面 MOSFET 導通電阻 (RDS(on))，適用於現有固態繼電器 (SSR) 等對最小傳導耗損要求極為嚴格的應用領域。相較之下，車規級 CoolMOS S7A 可滿足固態斷路器 (SSCB) 和二極體並聯/替換所設定的系統效能要求，適用於高電壓 (HV) eFUSE、HV eDisconnect 電池斷路開關以及車載充電器等高功率/效能設計的汽車應用。
此系列產品係基於知名 CoolMOS 7 技術平台最佳化所獲得的開發成果。特別針對靜態切換和大電流應用，強化裝置效能。因此，新裝置不僅符合最高品質標準，並擁有最佳性價比，同時注重傳導效能、能源效率、功率密度及改善熱阻等特性。
CoolMOS S7 10 mΩ 和 CoolMOS S7A 晶片具備同級產品中最小的 RDS(on)，最實惠的單位面積 RDS(on) 價格 (RDS(on) x A x cost)。此外，產品採用創新的頂層冷卻 (TSC) QDPAK SMD 封裝，具有絕佳的熱行為，可取代 THD 裝置 (如 TO-247) 並且更省空間。以 QDPAK 的表面黏著裝置代替 THD，佔高可減少 94%，進而可增加功率密度。利用 CoolMOS™ S7 10 mΩ 和 CoolMOS S7A 的低導通損耗特性，可縮小散熱器尺寸達 80%，在外型尺寸不變的前提下，可提高額定電流和電壓值。
供貨情況
目前可訂購以 TSC QDPAK 封裝 (HDSOP-22-1) 的 CoolMOS S7 10 mΩ 和 CoolMOS S7A 裝置。詳細資訊請瀏覽 www.infineon.com/s7。
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