當前位置： 主頁 > 新品報到 >

慧榮科技宣佈推出全球首款支援最新SD 6.0規範的SD控制晶片解決方案

本文作者：慧榮科技點擊： 2017-06-02 11:01

前言：

全新SD 6.0控制晶片系列產品支援下一代超高效能、大容量SD卡

2017年6月2日--全球快閃記憶體控制晶片領導品牌慧榮科技（Silicon Motion Technology Corporation, 納斯達克交易代碼: SIMO）日前宣佈推出全新的SD 6.0控制晶片解決方案，該控制晶片支援SD 6.0，並滿足新的A2應用效能標準，其最低隨機讀/寫效能高達4,000/2,000 IOPS。擴充性儲存卡搭載慧榮SD 6.0新控制晶片後將大幅提升隨機存取效能，讓行動裝置使用者能夠直接從SD卡執行Android 6.x/7.x的應用程式，並支援4k影片錄製和播放以及AR/VR等需要高頻寬的應用。

慧榮科技的SD 6.0控制晶片解決方案支援低電壓訊號，可滿足低功耗SoC和功能命令佇列、快取記憶體功能和自我維護功能等需求——類似管理大量資料的SSD和嵌入式記憶體所使用的所有關鍵功能，從而支援使用高效能、高可靠性和長壽命擴充性儲存卡。此外，SD 6.0控制晶片解決方案最高可支援2TB的容量，並提供商用和工控等級的規格，為消費性、商用、工控及車用產品提供高效能及高可靠度的SD 6.0卡解決方案。

慧榮科技產品企劃部資深副總段喜亭表示：“擴展性儲存在行動通訊及工控的應用需求持續增溫。現在大部分的Android智慧型手機和行動裝置能支援用戶直接從可插拔卡執行應用程式。慧榮科技的SD 6.0新控制晶片能大幅提升記憶卡的效能，並為4K影片錄製和播放等高效能應用，以及需要高頻寬的多媒體應用程式的執行提供更大容量及更可靠的平臺。”

慧榮科技的SD 6.0控制晶片解決方案規格：

	SM2705EN	SM2707EN
卡標準	SD 6.0	SD 6.0
快閃記憶體介面	1-CH/4-CE	1-CH/8-CE
應用效能等級	A2 隨機存取效能讀取：4,000 IOPS 寫入：2,000 IOPS	A2 隨機存取效能讀取：4,000 IOPS 寫入：2,000 IOPS
順序讀/寫速度	最大99/90 MB/秒	最大99/90 MB/秒
ECC	DuoECC	DuoECC
容量支援	最大256GB	最大2TB
溫度支援	商用溫度：0℃至70℃	工業溫度：-40℃至85℃
NAND支持	支持3D/2D NAND	支持3D/2D NAND

SM2705EN和SM2707EN已進入送樣階段，多家OEM廠商進行設計中。

關於慧榮

慧榮科技(Silicon Motion Technology Corp., NasdaqGS: SIMO)是全球最大的NAND Flash控制晶片供應商，同時也是SSD控制晶片的市場領導者。我們擁有最多的控制晶片解決方案及相關技術專利，NAND控制晶片年出貨量超過7億5千萬顆，居業界之冠。我們的控制晶片廣泛使用於SSD及eMMC等嵌入式儲存裝置，應用範圍包括智慧型手機、個人電腦，以及其他工業級和消費性產品，同時提供可客製化的高效能企業級與工業級SSD解決方案。客戶包括多數的NAND Flash大廠、儲存裝置模組廠及OEM領導廠商。慧榮於2005年在美國NASDAQ上市，成為亞洲第一家赴美掛牌的IC設計公司。更多慧榮相關訊息請上www.siliconmotion.com。

本月熱點 HOME

欄目熱點 HOME