2017年5月22日--更高效率、功率密度、更精巧的尺寸和更低的系統成本：這些都是碳化矽 (SiC) 電晶體的主要優點。英飛凌科技股份有限公司 (FSE：IFX/OTCQX：IFNNY) 於去年 PCIM 展會發表的全 SiC 模組 EASY 1B產品進入量產。在今年德國紐倫堡 PCIM 展會上，英飛凌展示了其他 1200 V CoolSiC™ MOSFET 系列的模組平台和拓樸，將碳化矽技術的潛力發揮到全新境界。
英飛凌工業電源控制事業處總裁 Peter Wawer 博士表示：「碳化矽已經來到一個轉捩點：考量其成本效益分析，這項技術已準備好投入各種應用領域。然而，要讓這項全新的半導體技術成為革命性且可靠的產品，需要英飛凌這樣的合作夥伴：針對應用量身打造的產品、公司自身的產能、全方位的技術組合和技術方面的深厚知識，這四大基礎讓英飛凌成為功率半導體市場的領導者。我們冀望SiC 產品系列也將創下相同佳績，而且勢在必得。」
新款 1200 V SiC MOSFET結合高可靠度和卓越效能，動態損耗比 1200 V 矽 IGBT 降低了一個數量級。首批產品將用於支援包括光伏逆變器、不斷電系統 (UPS) 以及充電器/儲能系統等應用的系統性挑戰。新的配置組態也將促成各種應用的全新解決方案，包括工業馬達驅動、醫療技術或鐵道用輔助電源供應等。
採用溝槽式技術的1200 V SiC MOSFET主要優點在於更強大的耐用性，這是由於更低的失效率 (FIT) 和出色的短路容量可滿足個別應用的不同需求。產品的 4 V 閾值電壓 (Vth) 和 +15 V 建議閘極電壓 (VGS) 使電晶體可如 IGBT 一般接受控制，並於故障發生時安全斷開。SiC MOSFET 可提供極快的切換瞬變。此外，英飛凌的技術可透過閘極串聯電阻來促進瞬變調整的簡易度，進而輕鬆實現最佳化的 EMC 特性。
英飛凌在去年已發表引腳式產品 EASY 1B (半橋式/升壓式) 和分立式 3pin 與 4pin TO-247 解決方案。成熟完備的 EASY 1B 平台是快速切換裝置的理想模組平台。在今年的 PCIM 會場上，英飛凌將展出其他採用 1200 V SiC MOSFET 技術的模組平台與拓樸，逐步擴大 CoolSiC MOSFET 的適用效能範圍。展示項目包括下列 SiC 模組：
•B6 (Six-Pack) 拓樸 EASY 1B：此模組具備深獲肯定的英飛凌模組組態，導通電組 (RDS(ON)) 僅 45 mΩ。整合式本體二極體確保低損耗續流功能。EASY 1B 適用於馬達驅動、太陽能或焊接技術領域。
•半橋式拓樸 EASY 2B：這款大型 EASY 裝置提供強化效能，每個開關的RDS(ON) 為 8 mΩ。低電感模組概念適用於50 kW 以上及快速切換操作的應用，包括太陽能變頻器、快速充電系統或不斷電系統解決方案。
•62 mm 半橋式技術：另一種半橋式組態，具備更高功率，每個開關的 RDS(ON) 僅 6 mΩ。此模組平台有助於實現中功率等級系統的低電感連接，可在各種不同的應用領域中發揮作用，包括醫療技術或鐵道用輔助電源供應等。由於具備極為廣泛的應用潛力，英飛凌預期這款模組將會迅速普及。
供貨情形
發表於 PCIM 2016 的引腳式產品 EASY 1B 及兩款分立式裝置 3pin 與 4pin TO-247 今年將逐漸投入量產。半橋式組態 EASY 1B 現已供貨，亦開始供應支援的各式馬達驅動模組和示範板。新產品組態目前可提供樣品，計劃於 2018 年開始批量生產。詳細資訊請瀏覽 www.infineon.com/coolSiC。
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球半導體領導廠商，致力於讓生活更簡單、更安全、更環保。英飛凌的微電子是進化未來的關鍵技術。2016 會計年度 (截至9月底)，公司營收為 65 億歐元，全球員工約 36,300 名。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所上市(交易代碼：IFX)，並於美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier 掛牌(交易代碼：IFNNY)。
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