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英飛凌推出 OptiMOS™ 5 150 V 大幅降低導通電阻和逆向復原電荷

本文作者:英飛凌       點擊: 2016-10-18 11:32
前言:
 
2016年10月18日--為滿足高效率設計和應用的需求,英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX/OTCQX:IFNNY) 推出 OptiMOS™ 5 150 V 產品組合,進一步拓展領先業界的 OptiMOS 第五代功率 MOSFET系列。全新 150 V 系列特別針對需求低電荷、高功率密度同時具備高耐用度的高效能應用,如低壓驅動器、電信電源與的同步整流以及太陽能轉換器所設計。
 
 

 
節能科技
英飛凌持續開發能夠促成高效率設計的產品,以協助降低全球 CO2 排放量。OptiMOS 5 150 V 能減少電信設備的功耗,亦或增加電動車的功率與行程,對環保的目標作出了貢獻。
 
相較於次佳的同類產品,採用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS 5 150 V 大幅降低 25% 的導通電阻 RDS(on)。在相同的 RDS(on) 下,本系列產品的 FOMg 較前一代產品提高了 29%。由於超低 Qrr 比 SuperSO8 中次佳同類產品低 72%,因此可提升整流耐用度,同時也具備強化的 EMI 特性。
 
詳細資訊請瀏覽 http://www.infineon.com/optimos5-150V
 
關於英飛凌
英飛凌科技股份有限公司是全球半導體領導廠商,致力於讓生活更簡單、更安全、更環保。英飛凌的微電子是進化未來的關鍵技術。2015 會計年度 (截至9月底),公司營收為 58 億歐元,全球員工約 35,400 名。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所上市(交易代碼:IFX),並於美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier 掛牌(交易代碼:IFNNY)。

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