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科林研發以業界首創的低氟鎢ALD填充製程推動下一代記憶體的進展

本文作者：科林研發點擊： 2016-08-16 08:02

前言：

新款ALTUS® Max E系列產品可為3D NAND與DRAM製造提供兼具高生產力以及低氟、低應力、和低電阻的解決方案

2016年8月12日--先進的半導體設備製造商科林研發公司(Lam Research Corp.)發表可沉積低氟含量鎢薄膜的原子層沉積(ALD)製程，為其領先業界的ALTUS®系列產品再添新成員。透過這款業界首創的低氟鎢(LFW) ALD製程，ALTUS Max E 系列可協助記憶體晶片製造商克服其面臨的重大挑戰，並實現3D NAND和DRAM元件的持續微縮。此新系統是以科林研發領先市場的記憶體應用產品組合為基礎，正受到全球市場的廣泛關注，並已贏得多家世界級3D NAND和DRAM製造商以及研發中心的採用。

科林研發營運長Tim Archer表示：「消費者對於更強大元件的要求推升了高容量、高效能儲存需求的成長，而薄膜沉積和電漿蝕刻是實現先進記憶體晶片製程的關鍵技術。透過ALTUS Max E系列產品的推出，我們將能擴展新的記憶體產品組合，並協助客戶孕育業界下一波的成長動力。過去一年來，隨著3D NAND技術的快速進展，我們針對這些應用的出貨量已經增加了一倍，成為3D NAND市場薄膜沉積與電漿蝕刻設備安裝率最高的業者。」

由於3D NAND製造商增加了儲存單元(cell)的層數，因此，對鎢沉積製程而言，其字元線連結(word line)的填充應用便面臨了兩個重要的問題。首先，從鎢薄膜擴散出來的氟會進入介電層，而導致物理性缺陷。其次，元件中超過48對介電層的累積應力會造成嚴重的彎曲。這些缺陷與應力的問題會使良率降低，並影響電氣效能與元件可靠度。因為這些問題，先進3D NAND元件用的鎢薄膜必須盡量降低氟含量以及內在應力。此外，隨著關鍵尺寸的微縮，DRAM埋入式閘極字元線連結(buried word line)的電阻降低也變得更為困難，邏輯元件中的金屬閘/金屬接點(contact)的應用也是如此。

科林研發公司薄膜沉積產品事業群副總經理Sesha Varadarajan表示：「隨著記憶體製造商邁向更先進的製程節點，需要填充的最小尺寸不僅越來越窄，而且深寬比也變得更大。科林研發的新款解決方案ALD LFW利用可控制的表面反應來調整應力與氟含量，並降低電阻，同時仍然維持極佳的鎢薄膜填充效能和生產力。與傳統的化學氣相沉積鎢相比，ALTUS Max E系列最高可降低100倍的氟含量、10倍的應力、以及超過三成的電阻，因此能有效解決客戶最關鍵的微縮與整合挑戰。」

具備LFW ALD 技術的ALTUS Max E系列產品可提供獨特的全套ALD沉積製程，其中運用了科林研發的脈衝晶核層形成(PNL)技術，這是鎢ALD製程的業界標竿，具有15年的市場領先地位並有超過1000台模組被廣泛使用在量產。科林研發以其PNL技術，引領了業界從氣相沉積(CVD)鎢晶核升級到ALD鎢晶核製程。藉由推動低電阻鎢解決方案，發展了PNLxT™的ALTUS® Max、與LRWxT™的ALTUS® Max產品系列、以及填充效能特強的ALTUS® Max ExtremeFill™產品，科林研發得以持續維持其市場領先地位。

ALTUS產品採用科林研發的四站式模組(QSM)架構，由於各站的溫度均可獨立設定，因此在不犧牲填充能力狀態之下，能讓每一站的鎢晶核與填充都達成氟含量、應力和電阻的最佳化組合。透過為每台設備提供12個臺座(pedestal)，QSM配置能實現ALD製程的生產力最大化，提供業界最高的單位面積生產力解決方案。

關於科林研發

科林研發股份有限公司（NASDAQ：LRCX）是值得信賴的全球晶圓製程設備與服務供應商，為半導體產業提供創新的晶圓製造設備和服務。科林研發提供業界領先的多元化產品組合，包括薄膜沉積、電漿蝕刻、光阻去除和晶圓清洗解決方案，可協助客戶成功地在晶圓上製造出尺寸比一粒砂還小千分之一的元件結構，因而實現更小、更快、更省電的晶片。透過合作、持續創新、以及信守承諾，科林研發正為原子級工程技術帶來變革，並攜手客戶創造科技的未來。科林研發的總部設在加州弗里蒙特市，其納斯達克股票代號為LRCX，並且是納斯達克100指數以及標準普爾500指數的成分股公司。欲了解更多訊息，請造訪http://www.lamresearch.com。（LRCX-P）

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