2016年6月17日--奈米電子研究中心IMEC在VLSI研討會上，，展示了環繞式極匣的n與pMOSFET，這些MOSFET皆由垂直堆疊、直徑僅8奈米的水平矽質奈米線製成。這些以矽質塊材基板製成、運用業界RMG製程的裝置，相較於鰭型FET的參考裝置，在性能水平上具備更優良的短通道特性(SS = 65 mV/dec, DIBL = 42 mV/V for LG = 24 nm)。
GAA裝置的結構能提供絕佳的靜電掌控能力，從而使極限CMOS裝置得以微縮。再者，水平奈米線是RMG FinFET的自然延伸，相比之下垂直奈米線會更需要顛覆性的技術性改變。更甚者，奈米線的堆疊能將每個覆蓋區的驅動電流最大化。IMEC將這三方面成功的結合於一，同時也是第一次展示微縮尺寸、垂直堆疊的水平矽質奈米線：直徑8nm、橫向間距45nm以及20nm的垂直距離。
和傳統的FinFET流程相比，IMEC做出了兩大改變。首先，為保留尖銳的矽－鍺/矽((SiGe)/Si)介面，在淺溝渠隔離(STI)的密實化步驟要在750°C的高溫下進行，這對良好控制下釋放奈米線十分必要。第二，為抑制底層寄生通道，IMEC便採用低複雜度的類接地參雜方案因應。
「IMEC已在實現sub-10nm技術節點的道路上有了突破性的進展，體現在微縮尺寸的奈米線堆疊上與固態靜電控制，同時將業界的RMG製程運用在矽質塊材基板上。」IMEC的邏輯裝置與積體電路總監Dan Mocuta表示：「後續的研究階段將會著重於達成更密的間隙上，並以此知識基礎，發展環繞式極匣橫向奈米線CMOS裝置。」
IMEC能夠成功研究出先進邏輯微縮的技術，有賴於core CMOS計畫的關鍵合作夥伴的一同努力。這些夥伴包含Global Foundries、Intel(因特爾)、Micron、SK Hynix、Samsung(三星)、TSMC(台積電)、Huawei(華為)、Qualcomm以及Sony(索尼)。
NMOS GAASiNWFET的穿透式電子顯微鏡影像(LG=70nm):(a)矽質奈米線陣列概覽 ; (b)兩條堆疊的奈米線其細節畫面
關於 imec
imec在奈米電子與光電領域進行世界領先級的研究。 imec善用資通訊科技(ICT)、醫療保健以及能源等全球各領域合作夥伴的創新能量，讓科學知識發揮更大效益。 imec提供產業相關的技術解決方案。在獨特的高科技環境中，我們頂尖的國際人才致力為永續社會打下更美好生活的基礎。 imec的總部位於比利時魯汶，並於比利時、荷蘭、台灣、美國、中國、印度以及日本等地設有辦公室。本公司旗下有超過2,500人的職員，包含將近740名的業界常駐人士以及客座研究人員。 imec於2015年的收入(損益)總額為4億1,500萬歐元。如需關於imec的進一步資訊，可參訪網站 www.imec.be。
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