IMEC發佈橫向與垂直無接面環繞式極匣FET電晶體裝置
前言：
新一代的GAA-NWFET是先進邏輯和類比/射頻應用與SRAM記憶單元有潛力的新
2016年6月15日--在今天2016年的VLSI技術與電路研討會上，IMEC奈米電子研究中心展示了橫向與垂直配置下的無接面環繞式極匣(GAA)奈米線(NW)FET電晶體裝置。運用在先進邏輯、低功率電路以及類比/射頻的應用上，程序更簡單，具有更高的可靠性、更小的低頻噪音和IOFF值，是個令人怦然心動的選擇。此外，經由堆疊垂直裝置，使大量的SRAM能以更短的路徑縮放。)
在GAA-NFET外部，極匣環繞而完整包覆，擁有極佳的靜電控制能力。因此，大家視GAA-NWFETs為最能實現5奈米級CMOS的最佳選擇。不僅是個不需要接面的無接面裝置，還能提供更好的簡化程序。
在之前2015年的VLSI技術與電路研討會和國際電子元件會議上，這些裝置就已經展現出卓越且可靠的技術，尤其適應低功率電路狀況使其更具發展潛力。在今天的座談會上，IMEC充分講解了用來操作無接面裝置的控制關鍵。發現就是透過控制NW參雜程度與上NW大小的對比，以達到最佳化的效果。研究過這些裝置在類比/RF應用上的可行性，發現和反式NWFET相比，在相似的速度與相當的電壓增益下，在類比/RF上的應用比較可行。
IMEC也處理了無接面GAA-NWFET的變異特性。儘管NMOS裝置的VT的不匹配會隨著奈米線參雜升高而升高，對PMOS裝置及更小尺寸的奈米線上，產生的影響卻相對較小。
此外，該無接面的概念被運用在整合於同為300mm的矽質基板的垂直裝置上，此基板也能搭載橫向裝置。透過大範圍的垂直奈米線陣列，可以得到低IOFF 及IG值與良好靜電效果。
最後，為了善加利用無接面裝置的程序簡化特點，IMEC提出一種新的SRAM單元設計。此設計垂直堆疊了兩個參雜程度相同的無接面垂直NWFET，得以藉此降低39%的SRAM每位元面積，更進一步探索更大的可能性。
「IMEC的成果對深入理解無接面GAA-NWFET有了非凡的貢獻。」IMEC的邏輯裝置與積體電路總監Dan Mocuta表示：「我們全面的講解點亮了橫向與垂直無接面奈米線裝置，超越5nm邏輯裝置的精湛表現。此外，無接面裝置也表現出成為類比/RF應用上的可行選項，儘管堆疊的無接面NWFET能顯著的減少SEAM的面積。」
IMEC能夠成功研究出先進邏輯微縮的技術，有賴於core CMOS計畫的關鍵合作夥伴的一同努力。這些夥伴包含Global Foundries、Intel(因特爾)、Micron、SK Hynix、Samsung(三星)、TSMC(台積電)、Huawei(華為)、Qualcomm以及Sony(索尼)。
關於 imec
Imec在奈米電子與光電領域進行世界領先級的研究。 Imec善用資通訊科技(ICT)、醫療保健以及能源等全球各領域合作夥伴的創新能量，讓科學知識發揮更大效益。 imec提供產業相關的技術解決方案。在獨特的高科技環境中，我們頂尖的國際人才致力為永續社會打下更美好生活的基礎。 imec的總部位於比利時魯汶，並於比利時、荷蘭、台灣、美國、中國、印度以及日本等地設有辦公室。本公司旗下有超過2,500人的職員，包含將近740名的業界常駐人士以及客座研究人員。 imec於2015年的收入(損益)總額為4億1,500萬歐元。如需關於imec的進一步資訊，可參訪網站 www.imec.be。您也可以閱覽imec每月發行的雜誌，關注imec的最新資訊(以iOS與Android app的形式，提供平板與智慧型手機版本；或者經由www.imec.be/imecmagazine 網站閱覽網頁版)。
在GAA-NFET外部，極匣環繞而完整包覆，擁有極佳的靜電控制能力。因此，大家視GAA-NWFETs為最能實現5奈米級CMOS的最佳選擇。不僅是個不需要接面的無接面裝置，還能提供更好的簡化程序。
在之前2015年的VLSI技術與電路研討會和國際電子元件會議上，這些裝置就已經展現出卓越且可靠的技術，尤其適應低功率電路狀況使其更具發展潛力。在今天的座談會上，IMEC充分講解了用來操作無接面裝置的控制關鍵。發現就是透過控制NW參雜程度與上NW大小的對比，以達到最佳化的效果。研究過這些裝置在類比/RF應用上的可行性，發現和反式NWFET相比，在相似的速度與相當的電壓增益下，在類比/RF上的應用比較可行。
IMEC也處理了無接面GAA-NWFET的變異特性。儘管NMOS裝置的VT的不匹配會隨著奈米線參雜升高而升高，對PMOS裝置及更小尺寸的奈米線上，產生的影響卻相對較小。
此外，該無接面的概念被運用在整合於同為300mm的矽質基板的垂直裝置上，此基板也能搭載橫向裝置。透過大範圍的垂直奈米線陣列，可以得到低IOFF 及IG值與良好靜電效果。
最後，為了善加利用無接面裝置的程序簡化特點，IMEC提出一種新的SRAM單元設計。此設計垂直堆疊了兩個參雜程度相同的無接面垂直NWFET，得以藉此降低39%的SRAM每位元面積，更進一步探索更大的可能性。
「IMEC的成果對深入理解無接面GAA-NWFET有了非凡的貢獻。」IMEC的邏輯裝置與積體電路總監Dan Mocuta表示：「我們全面的講解點亮了橫向與垂直無接面奈米線裝置，超越5nm邏輯裝置的精湛表現。此外，無接面裝置也表現出成為類比/RF應用上的可行選項，儘管堆疊的無接面NWFET能顯著的減少SEAM的面積。」
IMEC能夠成功研究出先進邏輯微縮的技術，有賴於core CMOS計畫的關鍵合作夥伴的一同努力。這些夥伴包含Global Foundries、Intel(因特爾)、Micron、SK Hynix、Samsung(三星)、TSMC(台積電)、Huawei(華為)、Qualcomm以及Sony(索尼)。
關於 imec
Imec在奈米電子與光電領域進行世界領先級的研究。 Imec善用資通訊科技(ICT)、醫療保健以及能源等全球各領域合作夥伴的創新能量，讓科學知識發揮更大效益。 imec提供產業相關的技術解決方案。在獨特的高科技環境中，我們頂尖的國際人才致力為永續社會打下更美好生活的基礎。 imec的總部位於比利時魯汶，並於比利時、荷蘭、台灣、美國、中國、印度以及日本等地設有辦公室。本公司旗下有超過2,500人的職員，包含將近740名的業界常駐人士以及客座研究人員。 imec於2015年的收入(損益)總額為4億1,500萬歐元。如需關於imec的進一步資訊，可參訪網站 www.imec.be。您也可以閱覽imec每月發行的雜誌，關注imec的最新資訊(以iOS與Android app的形式，提供平板與智慧型手機版本；或者經由www.imec.be/imecmagazine 網站閱覽網頁版)。
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