2013 年 5 月 16 日--英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 宣佈推出全新的 TO 無鉛封裝產品，能減少封裝電阻、大幅縮小尺寸，還能改善 EMI 特性。產品包含最新一代的 OptiMOSTM MOSFET，適用於具有高功率和穩定性需求的應用，像是堆高機、輕型電動車、電子保險絲 (eFuse)、負載點 (PoL) 和電信系統等。
全新 TO 無鉛封裝的設計可耐受高達 300A 的高電流。封裝電阻較低，因此在所有電壓等級下都能達到最低的 RDS(on)。封裝尺寸比 D2PAK 7pin 少 60%，能將設計體積減到最小。TO 無鉛封裝的體積大幅減少 30%，讓堆高機等應用所需要的電路板空間更小。高度減少 50%，在機架或刀鋒伺服器等一些需要小巧體積的應用中尤其具備優勢。此外，封裝的寄生電感較低，因此 EMI 特性更佳。
英飛凌低電壓功率轉換資深協理 Richard Kuncic 表示：「隨著 TO 無鉛封裝的推出，英飛凌將成為第一家推出 0.75mΩ 60V MOSFET 的半導體公司。產品可以減少堆高機應用中所需並聯 MOSFET 的數量，同時提高功率密度。此種封裝能為我們的客戶帶來重大優勢，滿足高功率應用的需求，提供最高等級的效率和可靠性。」
再加上，TO 無鉛封裝的焊接接觸面積增加 50%，因此電流密度得以降低。如此可避免在高電流量和高溫下發生電遷移，進而提升可靠性。與其他無鉛封裝不同的是，TO 無鉛封裝採用銲錫的溝槽引腳，因此能夠用肉眼檢查。
此種全新封裝是高功率應用的最佳選擇，能滿足應用對高效率、優異可靠性、最佳 EMI 特性和最佳散熱特性等的需求。
上市時間
TO 無鉛封裝目前已開始提供 30V（最高 0.4 mΩ）、60V（最高 0.75 mΩ）、100V（最高 2.0 mΩ）和 150V（最高 5.9 mΩ）等規格的樣品，預計自 2013 年第三季開量產。
有關英飛凌新推出的 TO 無鉛封裝系列產品的詳細資訊，請瀏覽：www.infineon.com/toll
關於英飛凌
英飛凌 (Infineon Technologies AG) 總部位於德國紐必堡(Neubiberg)，提供各式半導體和系統方案，以因應現今社會的三大挑戰，包括能源效率 (energy efficiency)、移動性 (mobility)與安全性(security)。2012計年度(截至9月底)營收為39億歐元，全球員工約為26,700名。英飛凌於德國法蘭克福證券交易所上市(交易代碼：IFX)，並於美國櫃檯買賣中心OTCQX International Premier 掛牌(交易代碼：IFNNY)。
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