2012年11月20日--致力於實現更高功率密度，符合嚴格的效能法規及系統正常工作時間需求，工業應用及電力電子設計者在其設計中面臨不斷降低功率損耗及提高效率方面的挑戰。然而，在諸如可再生能源、工業電機驅動器、高密度電源、汽車、井下作業設備等應用中，提高這些關鍵設計能力可能使設計變得複雜，以及整個系統成本增加。
為了協助設計者克服這些挑戰，全球領先的高性能電源和行動產品供應商快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor) 將領導地位延伸至創新的高性能功率電晶體技術領域，宣告碳化矽 (SiC) 技術解決方案 是功率轉換系統的理想選擇。
· 充分利用快捷半導體的廣泛半導體元件產品及模組封裝技術的優勢來優化、半標準(Semi-Standard)及自訂技術解決方案
· 透過功能整合與設計支援資源簡化工程難題的先進技術，將元件數目降至最低，同時縮減工程時間
· 將領先的元件技術整合至更小的先進封裝，同時具備尺寸、成本及節能優勢，滿足元件製造商與晶片組供應商的要求
先進 SiC 雙極電晶體 (BJT) 系列是快捷半導體 SiC 產品系列首批發佈產品之一，具備高效能、高電流密度、耐用性高，且可輕易在高溫條件下運作。 快捷半導體的 SiC BJT 運用極為高效的電晶體，可實現更高開關頻率 ，因其導通和開關 損耗更低（約 (30-50% 不等)，在同樣的系統型態條件下，可提供高達 40% 的輸出功率。
這些強大的 BJT 能使用更小的電感、電容及散熱片，總體系統成本可降低 20%。 這些業界領先的 SiC BJT，憑藉其可實現超高效率以及優越的短路和反向偏壓安全工作區域的性能等級，將會在優化高功率轉換的電源管理應用中，扮演重大的角色。
快捷半導體完善的碳化矽解決方案還包含開發了一個「隨插即用」的離散式驅動器電路板（15A 和 50A）。其與快捷半導體的先進 SiC BJT 結合使用時，不僅提供更高的開關速度，從而降低開關損耗並實現更佳可靠性，還可讓設計者輕鬆的將 SiC 技術落實在本身的應用中。 快捷半導體還可提供應用指南，為設計者設計 SiC 器件提供必要的額外支援，使驅動器電路板的開發滿足特定應用需求。此外，其目的是減少設計時程及縮短上市時間。
SiC BJT vs. 其他 SiC
迄今最高效率的 1200 V 電源轉換開關
• 最低總損耗，包括開關、導通和驅動器損耗
• RON 為任何給定值時，在所有 1200 V 元件中，達到最低開關損耗
直接正向驅動(Straight-Forward Driving)
• 常關型(Normally-off)特性可降低風險、複雜性及性能受限的設計
• 穩定的基極輸入對過壓／欠壓峰值不敏感
耐用、可靠
• 高工作溫度： Tj=175°C
• 由於 RON 的正溫度係數和增益 的負溫度係數，可輕鬆並聯
• 穩定、可靠的 Vbe 正向電壓和反向阻斷能力
快捷半導體的 SiC BJT 在 TO-247 封裝和工程樣品中均有提供，現在可提供給優質客戶。
快捷半導體在功率半導體中的專業技術，完美地符合正不斷發展的碳化矽市場需求公司的 SiC 產品系列具備快速、靈活和整體性能優勢，目前其他競爭產品望塵莫及。 快捷半導體致力於提供解決方案幫助客戶成功，將繼續協同客戶提供多重市場半導體產品，重視創新、服務和生產卓越性。
如需快捷半導體 SiC 技術的更多相關資訊，請造訪網站： www.fairchildsemi.com/sic
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快捷半導體公司簡介
美國快捷半導體公司 (Fairchild Semiconductor；紐約證券交易所代號：FCS) － 全球營運、本地支援、創新觀念。快捷半導體為電源和可攜式設計提供高效率、易於應用及高附加價值的半導體解決方案。要瞭解更多資訊，請瀏覽網站：www.fairchildsemi.com。
