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IDT推出全球首款針對高性能應用的壓電MEMS振盪器

本文作者:IDT       點擊: 2012-05-09 14:22
前言:

201259--擁有類比和數位領域優勢技術、提供領先混合信號半導體解決方案IDT® 公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 宣佈推出全球首款針對高性能通信、消費、雲和工業應用設計CrystalFree壓電MEMS (pMEMS™) LVDS/LVPECL振盪器。這款新型振盪器以遠低於1皮秒(picosecond)的相位動運行,超越業界標準,可完美替代傳統6針腳晶體振盪器(XOs)

 

IDT 4M 系列高性能 LVDS/LVPECL 振盪器使 IDT 獨家 CrystalFree pMEMS 諧振器技術,讓 IDT 迅速在出廠時編程所需的輸出頻率,無需微調貴的晶體。此外,由於pMEMS的諧振頻率效能遠高於石英晶體,4M振盪器能低成本達到更高頻率,且不關鍵性能。4M系列集結 IDT眾多以MEMS為基礎的品,將客戶提供便利、精確和低抖動的時脈參考。

 

IDT 公司副總裁兼時脈與同步部門總經理 Fred Zust 表示:「身時脈領域的領導者,我們的客戶一直期望IDTpMEMS技術能延伸至高性能應用領域,例如通信這個高達 40 億美元的頻率控制主要市場。IDT 獨家的 pMEMS 諧振器技術將壓電材料的電耦合與單晶矽的穩定性和低阻尼相結合,讓新產品可完美取代傳統的XO,甚至具備更優秀的性能和成本效益。這些品與我們屢獲殊榮的固態振盪器相得益彰,提供市場完整的頻率控制品組合,且漸漸取代以石英為主的產品。

 

IDT 4M 振盪器可在 -40°C 85°C 的廣泛工業溫度範圍內,以 ±50 ppm 的頻率精準運作。並支援低壓差分信號(LVDS)和低電壓正發射極耦合邏輯(LVPECL),頻率高達 625 MHz,可符合大多數通信、網路和高性能計算應用的嚴格要求。除了 7.0 x 5.0 mm (7050)尺寸,IDT pMEMS 振盪器還提供 5.0 x 3.2 mm (5032)小型標準塑膠封裝,可節省成本並減低高密度應用領域的封裝尺寸。這些4M振盪器經過設計,與傳統XO的針相容,是理想的升級替代解決方案。

 

供貨

IDT 4M 振盪器已可提供樣品,並可依客戶需要,提供不同頻率、電壓、輸出類型和工業標準封裝的組合。了解更多 IDT CrystalFree pMEMS 振盪器,請參考:www.idt.com/go/MEMS

 

關於 IDT

IDT(Integrated Device Technology, Inc.)身為類比與數位公司,提供系統層級的解決方案以豐富消費者應用。IDT運用其在時脈、序列交換,和介面的市場領先專業技術,並融入類比和系統專業知識,為通信、運算,和消費性市場提供完整的應用最佳化和混合信號解決方案。IDT總公司位於加州聖荷西,其設計、製造與銷售據點遍及全球。IDTNASDAQ全球精選市場(Global Select Market®)掛牌交易,代號IDTI。詳細公司資訊請參觀www.IDT.com

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