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快捷半導體為Ultrabook應用設計提供更薄解決方案

本文作者:快捷半導體       點擊: 2012-03-20 14:46
前言:
GENERATION II XS™ DRMOS整合式元件具有高頻開關能力,可以使用更薄的電感,設計出更纖薄的系統

2012年3月20日--Ultrabook設備和筆記型電腦等應用的設計人員面臨降低電源設計中電感高度的挑戰,以滿足更薄的低側高終端系統要求。有鑑於此,快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)提供第二代XS™ DrMOS系列FDMF6708N,這是經全面優化的小型整合式MOSFET解決方案加驅動器功率級解決方案,適用於高電流、高頻率的同步降壓DC-DC應用。FDMF6708N整合了一個驅動器IC、兩個功率MOSFET和一個靴帶式蕭特基二極體,採用增強熱性能的6x6mm2  PQFN Intel® DrMOS v4.0標準封裝。

 

FDMF6708N可讓設計人員節省50%的占位面積,同時提供高開關頻率和高功率密度。該元件的零交越檢測(ZCD)功能改善能夠輕負載效率,延長了電池壽命。與傳統離散解決方案不同,FDMF6708N使用最新的控制FETSyncFET 技術及源極電感更低的clip-bond封裝,在滿負載下提供高效率。而傳統離散解決方案需要更大的PCB空間、更長的佈局走線、更厚的電感,以及更多的元件,因而在使用較薄磁性元件所需的較高頻率下,會出現散熱性能不良。

 

FDMF6708N採用PQFN 6x6mm2 封裝,與最接近的競爭產品相比,該元件在峰值負載下(15A)效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。該元件適用於要求開關頻率在600KHz – 1.0MHz,輸入電壓高達20V的應用。可讓設計人員使用更小、更薄的電感和電容,縮小解決方案的尺寸,同時滿足散熱要求。FDMF6708N元件能夠幫助設計人員應付設計挑戰,設計出更炫酷、更薄,而且具有更高效率的Ultrabook™產品。

 

要瞭解更多的資訊及索取樣品,請瀏覽公司網頁: http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMF6708N.html

 

特性和優勢

·         超過1.0MHz的開關頻率,能夠縮小解決方案的整體尺寸,節省了50%的線路板空間,並且通過降低電感高度,實現更薄的系統。

·         零交越檢測(ZCD)電路改善輕負載性能

·         PQFN 6x6mm2 Intel® DrMOS v4.0標準占位面積、多源極解決方案多晶片模組(MCM)

·         與最接近的競爭產品相比,該元件在峰值負載下(15A) 效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%(19Vin, 1Vout, 800KHz),帶來更長的電池壽命。

 

快捷半導體Generation II XS DrMOS系列元件提供領先業界的技術,以應對現今電子設計所遇到的效率和外形尺寸挑戰。這些元件是快捷半導體之高效率功率類比、功率離散和光電子解決方案的一部分,能夠在功率敏感應用中提供最大節能效果。

 

要獲得更多訊息,請瀏覽快捷半導體的網頁,網址為:www.fairchildsemi.com,或聯絡台灣快捷半導體,電話為 (886-2) 2651-6488;或香港辦事處,電話為 (852) 2722 8338

 

快捷半導體公司簡介

美國快捷半導體公司 (Fairchild Semiconductor紐約證券交易所代號FCS) - 全球營運、本地支援、創新觀念。快捷半導體為電源可攜式設計提供高效率、易於應用及高附加價值的半導體解決方案。我們協助客戶開發差異化的產品,並以我們在功率和訊號路徑產品上的專業知識解決其遇到的困難技術挑戰。要瞭解更多資訊,請瀏覽網站www.fairchildsemi.com

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