ST新款車用功率MOSFET實現超低導通電阻

ST發表一款專為汽車市場設計的大電流功率MOSFET，該元件採用ST專利的STripFET™技術，可實現超低導通電阻。全新的STD95N04是40V的標準邏輯位準DPAK元件，最大導通電阻（RDS(on)）僅6.5m歐姆。

這款80A的元件適用於DC-DC轉換器、馬達控制、螺線管驅動器與ABS系統。與採用傳統‘構槽式’技術製造的競爭產品相比，新元件在價格與關鍵的導通電阻效能上具備極佳競爭力。

STD95N04符合分離式半導體元件的AEC Q101壓力測試規範，這是由汽車電子協會（Automotive Electronics Council，AEC）旗下的元件技術委員會針對應用於汽車環境中之元件所設立的標準。根據該標準，最高操作溫度為175℃，而新元件則100%符合此一規範。

新的ST STripFET技術是以大幅增加的單元密度為基礎，因此能在使用更少矽晶片面積情況下實現更低的導通電阻與降低損耗。其他目前開發中的功率MOSFET均採用相同技術，以滿足DPAK（4.5V時30V、邏輯位準、4.5m歐姆）；以及D2PAK（10V時40V、標準還輯位準、2m歐姆）的標準需求。

STD95N04現已量產，有DPAK與TO-220等封裝。採購量為10,000顆時每顆單價0.38美元。