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DALSA Semiconductor 獲Alchimer的eG ViaCoat™ 技術授權以開發銅金屬矽貫孔微機電製程

本文作者:admin       點擊: 2008-12-17 00:00
前言:
DALSA 公司 (TSX: DSA)旗下首屈一指的專業與客製化晶圓製造服務供應商DALSA Semiconductor日前宣布,已完成透過奈米金屬化技術領導者Alchimer S.A. (法國Massy) 之eG ViaCoatTM製程,在穿矽導孔結構(TSV)上建立均勻銅金屬種晶層之測試。完成這些成功測試後,DALSA計畫取得Alchimer的技術授權,以強化其微機電系統製造能力。

DALSA Semiconductor 技術研發副總裁Luc Ouellet表示:「多年來,DALSA Semiconductor 已針對其3D整合技術,運用先鑽孔( via-first)製造出低成本的微機電產品,透過Alchimer的銅eG ViaCoat 方式,我們將能以更快速的操作頻率及更高的功率密度,甚至以更低的阻抗及更高的熱散,來支援消費性微機電產品開發。Alchimer的TSV方式是一項策略性技術,其能使我們在此具成本敏感性的市場中大量生產MEMS 元件。」 

Alchimer的eG ViaCoat是一項電化學鍍膜製程,其能各種先進的3D封裝應用中支援TSV的銅金屬種晶金屬化。和乾式真空製程相比,eG ViaCoat能節省超過50%的持有成本。eG ViaCoat並於Semicon West 2008贏得 “Best of the West Award”大獎。

除與DALSA達成授權協議外,Alchimer亦在深層再回流TSV上展現優異的涵蓋率。再回流TSV的表面直徑小於底部的直徑,是透過速度更快的Bosch深層反應離子蝕刻(DRIE)製程所製造的特殊形狀。由於eG ViaCoat能在再回流結構上達到優異的階梯覆蓋率,它讓業者能採用高蝕刻速率的Bosch製程,讓DRIE步驟的成本減少50%。除了更快的DRIE步驟省下的成本,銅金屬種晶金屬化步驟還能節省許多開支。Alchimer亦成功展示後續在這些深層再回流TSV結構上填入無空洞銅金屬材料。

Alchimer執行長Steve Lerner表示:「我們非常高興能與DALSA合作,其不僅是微機電晶圓製造的領導者,更是一家承諾提供創新技術及高品質產品的公司。」 

關於 Alchimer
Alchimer針對奈米薄膜電化學沉積開發並行銷化學配方及製程及IP,以提供半導體晶圓之銅互連及3D封裝之直通矽貫孔。該公司是從Commissariat à l’Energie Atomique分割獨立而出,於2001年創立時,並贏得法國研發及產業局(French Minister of Research and Industry)頒發「高科技公司創新」之國家首獎(First Nation Award),且獲評為「歐洲前100大具前瞻性公司」(Red Herring Top 100 European Company)。如需更多資訊,請參閱: www.alchimer.com.

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