國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝，且配合IR最新的HEXFET MOSFET矽技術，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝錄機、數位相機、筆記本電腦、伺服器和網路通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
新款的PQFN2x2元件分別適用於20V、25 V和30 V，還有標準或邏輯水平柵極驅動器選擇。這些元件只需要4mm2的占位空間，並採用IR最新的低電壓 N-通道和P-通道矽技術，從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) ，以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。
IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR的新型PQFN2x2元件進一步擴展IR廣闊的功率 MOSFET系列，也滿足我們客戶的需求，進一步縮小的封裝尺寸，結合基準矽技術。這些新元件不但擁有超小尺寸和高密度，更非常適合與高度數位化內容相關的應用。」
這個PQFN2x2系列包括為負載開關的高側而優化的P-通道元件，帶來一個更簡單的驅動解決方案。同時，新元件的厚度少於1 mm，使它們與現有的表面黏著技術兼容，並且擁有行業標準的占位空間，還符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 。
產品規格
元件編號 配置 BV (V) 最大Vgs (V) 在10V下
典型/最大RDS(on) (mΩ) 在4.5V下
典型/最大RDS(on) (mΩ) 在2.5V下
典型/最大RDS(on) (mΩ)
IRFHS9301 單一 -30 -20 30/37 48/60 -
IRLHS2242 單一 -20 -12 - 25 / 31 43 / 53
IRLHS6242 單一 +20 +12 - 9.4 / 11.7 12.4 / 15.5
IRLHS6342 單一 +30 +12 - 12 / 16 15 / 20
IRFHS8242 單一 +25 +20 10/13 17 / 21 -
IRFHS8342 單一 +30 +20 13/16 20 / 25 -
產品現正接受批量訂單。數據資料及MOSFET產品選項工具已刊登於 IR 的網站 www.irf.com。
新款的PQFN2x2元件分別適用於20V、25 V和30 V，還有標準或邏輯水平柵極驅動器選擇。這些元件只需要4mm2的占位空間，並採用IR最新的低電壓 N-通道和P-通道矽技術，從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) ，以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。
IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示：「IR的新型PQFN2x2元件進一步擴展IR廣闊的功率 MOSFET系列，也滿足我們客戶的需求，進一步縮小的封裝尺寸，結合基準矽技術。這些新元件不但擁有超小尺寸和高密度，更非常適合與高度數位化內容相關的應用。」
這個PQFN2x2系列包括為負載開關的高側而優化的P-通道元件，帶來一個更簡單的驅動解決方案。同時，新元件的厚度少於1 mm，使它們與現有的表面黏著技術兼容，並且擁有行業標準的占位空間，還符合電子產品有害物質限制指令 (RoHS) 。
產品規格
元件編號 配置 BV (V) 最大Vgs (V) 在10V下
典型/最大RDS(on) (mΩ) 在4.5V下
典型/最大RDS(on) (mΩ) 在2.5V下
典型/最大RDS(on) (mΩ)
IRFHS9301 單一 -30 -20 30/37 48/60 -
IRLHS2242 單一 -20 -12 - 25 / 31 43 / 53
IRLHS6242 單一 +20 +12 - 9.4 / 11.7 12.4 / 15.5
IRLHS6342 單一 +30 +12 - 12 / 16 15 / 20
IRFHS8242 單一 +25 +20 10/13 17 / 21 -
IRFHS8342 單一 +30 +20 13/16 20 / 25 -
產品現正接受批量訂單。數據資料及MOSFET產品選項工具已刊登於 IR 的網站 www.irf.com。
