瑞薩電子公司(TSE：6723)，宣佈推出最新第12代功率MOSFET產品RJK0210DPA、RJK0211DPA及RJK0212DPA，為適用於一般負載點(POL)、基地台、電腦伺服器及筆電DC/DC轉換器中之功率半導體裝置。
上述新產品用以控制CPU及記憶體中的電壓轉換電路。例如，前述新款功率MOSFETs可用於降壓電路，將電池的12伏特(V)電壓轉換為CPU所使用的1.05V。由於製程加倍精細化，相較於瑞薩電子現有產品，新款MOSFET的品質因數(FOM，figure of merit；on-state resistance times gate charge, 附註1)降低約40%，因此能在電壓轉換過程中減少功率損耗，達成高效率的DC/DC轉換器效能。
隨著伺服器、筆電及顯示卡等應用產品的效能逐漸提升，消耗功率也隨之增加。大勢所趨之下也促使各種元件以較低的電壓運作，例如CPU、繪圖處理單元(GPU)、記憶體、各種裝置及ASIC等，電流量隨之提高的同時也產生了新的需求，亦即DC/DC轉換器必須處理低電壓及大電流。而另一項強烈需求，則是在電壓轉換過程中減少功率損耗並追求更高的效率，以藉此節約能源，降低環境衝擊。瑞薩電子透過目前業界中最高效能等級的新產品，擴充其低FOM功率的MOSFET產品種類，從容因應上述需求。
上述新產品中的耐壓(VDSS)為25V，其中的RJK0210DPA MOSFET可達到最大電流(ID)40安培(A)；RJK0211DPA為30A；RJK0212DPA則為25A。其FOM(典型值於VGS=4.5V)分別為6.84mΩ∙nC、7.83mΩ∙nC及7.2mΩ∙nC，相較於瑞薩電子現有的MOSFET約降低40%。
另外，上述新產品的閘-汲極電荷電容(gate-drain charge capacitance, Qgd，控制功率MOSFET之關鍵特性)分別為1.2nC、0.9nC及0.6nC，同樣約較瑞薩電子上一代功率MOSFET低了40%(使用相同導通電阻測量)。較低的數值意味著切換損失較少，也因此對於更高效率的DC/DC轉換器效能，以及更高的能源效率助益良多。
DC/DC轉換器是藉由兩個功率MOSFET運作，其中之一負責控制，另一個則負責同步整流，交互切換開與關以轉換電壓。將新款RJK0210DPA MOSFET用於控制，而將瑞薩電子第11代RJK0208DPA裝置用於同步整流，將12V電壓轉換至1.5V，在輸出電流為18A時，最大功率轉換效率為90.6%，在輸出電流為40A時，最大功率轉換效率為86.6% (以上數據皆以切換頻率300kHz及兩相組態為基礎)。
上述MOSFET新產品採用瑞薩電子的WPAK封裝，尺寸為5.1mm x 6.1mm，厚度則為0.8mm(最厚處)。上述產品的底部設有晶片銲盤(diepad)，在功率MOSFET運作期間，能將熱傳導至印刷電路板，並確保功率MOSFET得以處理大電流。
瑞薩電子將持續研發適用於各類型DC/DC轉換器的半導體產品，目標為低損耗及高效能，以利於開發體積更小、耗電量更少的的系統。
價格和供貨
瑞薩電子新款RJK0210DPA、RJK0211DPA及RJK0212DPA功率MOSFET目前均已開始供應樣品，單價分別為US$0.55、US$0.46及US$0.38。預計於2010年12月起大量生產，並於2011年7月達到生產量每月約2,000,000個。
(價格與供貨情況如有變更，恕不另行通知。)
上述新產品用以控制CPU及記憶體中的電壓轉換電路。例如，前述新款功率MOSFETs可用於降壓電路，將電池的12伏特(V)電壓轉換為CPU所使用的1.05V。由於製程加倍精細化，相較於瑞薩電子現有產品，新款MOSFET的品質因數(FOM，figure of merit；on-state resistance times gate charge, 附註1)降低約40%，因此能在電壓轉換過程中減少功率損耗，達成高效率的DC/DC轉換器效能。
隨著伺服器、筆電及顯示卡等應用產品的效能逐漸提升，消耗功率也隨之增加。大勢所趨之下也促使各種元件以較低的電壓運作，例如CPU、繪圖處理單元(GPU)、記憶體、各種裝置及ASIC等，電流量隨之提高的同時也產生了新的需求，亦即DC/DC轉換器必須處理低電壓及大電流。而另一項強烈需求，則是在電壓轉換過程中減少功率損耗並追求更高的效率，以藉此節約能源，降低環境衝擊。瑞薩電子透過目前業界中最高效能等級的新產品，擴充其低FOM功率的MOSFET產品種類，從容因應上述需求。
上述新產品中的耐壓(VDSS)為25V，其中的RJK0210DPA MOSFET可達到最大電流(ID)40安培(A)；RJK0211DPA為30A；RJK0212DPA則為25A。其FOM(典型值於VGS=4.5V)分別為6.84mΩ∙nC、7.83mΩ∙nC及7.2mΩ∙nC，相較於瑞薩電子現有的MOSFET約降低40%。
另外，上述新產品的閘-汲極電荷電容(gate-drain charge capacitance, Qgd，控制功率MOSFET之關鍵特性)分別為1.2nC、0.9nC及0.6nC，同樣約較瑞薩電子上一代功率MOSFET低了40%(使用相同導通電阻測量)。較低的數值意味著切換損失較少，也因此對於更高效率的DC/DC轉換器效能，以及更高的能源效率助益良多。
DC/DC轉換器是藉由兩個功率MOSFET運作，其中之一負責控制，另一個則負責同步整流，交互切換開與關以轉換電壓。將新款RJK0210DPA MOSFET用於控制，而將瑞薩電子第11代RJK0208DPA裝置用於同步整流，將12V電壓轉換至1.5V，在輸出電流為18A時，最大功率轉換效率為90.6%，在輸出電流為40A時，最大功率轉換效率為86.6% (以上數據皆以切換頻率300kHz及兩相組態為基礎)。
上述MOSFET新產品採用瑞薩電子的WPAK封裝，尺寸為5.1mm x 6.1mm，厚度則為0.8mm(最厚處)。上述產品的底部設有晶片銲盤(diepad)，在功率MOSFET運作期間，能將熱傳導至印刷電路板，並確保功率MOSFET得以處理大電流。
瑞薩電子將持續研發適用於各類型DC/DC轉換器的半導體產品，目標為低損耗及高效能，以利於開發體積更小、耗電量更少的的系統。
價格和供貨
瑞薩電子新款RJK0210DPA、RJK0211DPA及RJK0212DPA功率MOSFET目前均已開始供應樣品，單價分別為US$0.55、US$0.46及US$0.38。預計於2010年12月起大量生產，並於2011年7月達到生產量每月約2,000,000個。
(價格與供貨情況如有變更，恕不另行通知。)
