Diodes最新小巧電晶體實現超微型產品設計

本文作者:admin       點擊: 2010-07-19 00:00
前言:
Diodes公司近日推出了新型的20V NPN和PNP雙極電晶體,它們採用超微型的DFN1411-3表面黏著封裝,能夠大幅提升電源管理電路的功率密度和效率,並且採用了Diodes的第五代矩陣射極雙極製程來進行設計 (Generation 5 matrix emitter Bipolar process) 。

這對互補性元件ZXTN26020DMF及ZXTP26020DMF的尺寸只有1.1mmx 1.4mm,離板(off-board)高度為0.5mm,有助於設計極度小巧的可攜式產品,還可以改善產品的電性能和熱特性。

這些微型電晶體適用於MOSFET和IGBT閘驅動、DC-DC轉換及一般切換工作,較一些體積更大的SOT23封裝元件更能夠節省空間,並且展現完美的熱性能 (thermal performance),而在尺寸面積最小的FR-4 PCB上的功率耗散額定值只有0.38W。

最新雙極元件的特點包括高增益、低飽和及快速切換,具有極高的連續電流處理能力。NPN元件的最大額定集極電流為1.5A,PNP元件的則為–1.25A,較目前所有封裝體積更小的元件更為優越。 

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