快捷半導體雙MOSFET器件為同步降壓應用提供高效率和更高功率密度

本文作者:admin       點擊: 2009-07-08 00:00
前言:
快捷半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員帶來業界領先的雙MOSFET解決方案FDMC8200,可為筆記型電腦、小筆電(netbook)、伺服器、電信和其他 DC-DC 設計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模組中整合了經優化的控制 (高側) 和同步 (低側) 30V N溝道MOSFET,二者均使用專用的先進高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術,提供出色的低RDS(ON)、整體的柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD),這些性能可將傳導和開關損耗減到最小,從而帶來更高的效率。FDMC8200高側RDS(ON) 通常為24mOhm,低側則為9.5mOhm,可提供大於9A的電流供主流計算應用,而經優化的引腳輸出和占位面積,為佈局和佈線帶來了便利性,並簡化設計。

FDMC8200藉由先進的封裝技術和專有的PowerTrench 7製程,在節省空間的同時,熱性能也提升了,從而解決DC-DC應用的主要設計難題。採用緊湊型高熱效的3mm x 3mm Power33 MLP封裝和PowerTrench 7技術,其本身能夠提供高功率密度、高功率效率和出色的熱性能。

這款雙MOSFET器件是快捷半導體廣泛的先進MOSFET技術產品系列中的一部分,全系列產品均擁有廣闊的擊穿電壓範圍和現代化的封裝技術,同時實現高效的功率管理和低熱阻的特點。同系列其他產品包括整合有FET模組的FDMS9600S 和FDMS9620S器件,同樣能夠顯著地節省電路板空間,並提升同步降壓設計以達到更高的轉換效率。

單價(訂購1000個):0.50美元
供貨:樣品已在供應中
交貨期:現已可出貨

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